[发明专利]电接触部和用于制造电接触部的方法

说明书

本发明涉及一种在重布线(2)和导体区域(3)之间的电接触部(1)，其中，所述导体区域(3)布置在SOI晶片(5)或SOI芯片(5)上方的导体层(4)中，其中，在所述导体层(4)上方并且在所述重布线(2)下方布置有覆盖层(6)，其特征在于，所述覆盖层(6)具有接触部区域(7)，其中，所述接触部区域(7)借助于第一凹槽布置(8)相对于剩余的覆盖层(6)绝缘，其中，至少在所述接触部区域(7)中构造有开口(9)，其中，在所述开口(9)中布置有金属材料(10)，其中，所述金属材料(10)使所述重布线(2)和所述导体区域(3)连接。

技术领域

本发明涉及一种在重布线和导体区域之间的电接触部，其中，导体区域布置在SOI晶片或SOI芯片上方的导体层中，其中，在导体层上方并且在重布线下方布置有覆盖层。此外，本发明涉及一种用于制造电接触部的方法和一种包括电接触部的系统。

背景技术

通常已知电接触部、尤其是硅通孔(TSVs)。这种接触部可以穿过晶片或者晶片的仅一个部分区域。典型地尝试在实现小通过电阻的同时实现尽可能小的贯通接触部。为了实现这种情况，经常在晶片中例如借助于沟槽过程或者激光产生具有近似垂直的壁的狭长孔。然后将绝缘部沉积到孔中。在孔的底部处的区域中穿过绝缘部进行直至位于下方的导电轨的接触蚀刻。然后，所述孔被完全或部分地填充以导电材料或者粘附物/障碍物和导电层。在此，这样选择导电材料，使得实现小电阻。整体上，将绝缘部和之后的导电材料引入到相同的先前产生的孔中。

然而，对于很多系统、例如微机电构件，这种已知的硅通孔不能制成或者仅以非常高的耗费和相关的费用制成，因为在已知的方法中还需要附加的蚀刻停止层。

相应地，对于微机械构件大部分寻求另外的解决方案，并且硅通孔由掺杂硅制成。然而，这种硅通孔具有相对较高的电阻。因此，高频应用是不可能的或者仅在容忍质量损失的情况下是可能的。

发明内容

本发明的任务是，提供在重布线和导体区域之间的电接触部，该电接触部可以在多方面使用、尤其用于微机电系统，具有高导电性并且优选能够以合适的耗费和相对较低的过程费用制成。

根据主权利要求，根据本发明的在重布线和导体区域之间的电接触部相对于现有技术具有以下优点：接触部的绝缘(尤其借助于第一凹槽布置，该第一凹槽布置使覆盖层的接触部区域与剩余的覆盖层绝缘)的功能步骤和金属材料的布置可以分开地实施，其中，导体区域布置在SOI晶片或SOI芯片上方的导体层中。由此，可以取消在覆盖层和导体层之间(尤其在接触部区域中)的附加的蚀刻停止层。根据本发明，因此可能的是，提供节省成本的电接触部，该电接触部具有高导电性能。因此，例如可以实现用于在高频范围的微机电元件中的应用的特定优点。而通过在覆盖层中的接触部区域内部不具有(带高导电性能的)金属材料的硅通孔不能实现这种优点。同样地，这种优点(小费用和灵活的可使用性)通过绝缘体和之后的金属相继布置在相同的、先前产生的孔中的系统或过程不能实现。

根据本发明，概念“上方”和“下方”涉及相对于SOI晶片或芯片的表面的距离。因此，布置在导体层上方并且布置在重布线下方的覆盖层例如比导体层距离SOI晶片(或SOI芯片)的表面远，并且没有重布线距离SOI晶片(或SOI芯片)的表面远。

有利的扩展方案和实施方式由从属权利要求得出。

根据本发明的实施方式，在导体区域中还构造有开口，其中，金属材料还布置在导体区域的开口中，由此能够有利地在小的过程耗费的同时实现特别高的导电性能，因为金属材料可以在电接触部的较大距离上构造。

根据本发明的实施方式，在第一凹槽布置中布置有第一绝缘体，由此能够有利地实现在接触部区域(和由此电接触部本身)和剩余的覆盖层之间的高品质的绝缘。同时可以实现在硅通孔绝缘部和金属之间的空间分隔，因为第一绝缘体不布置在开口中。因此，可以特别有利地取消之后在开口的底部区域中的蚀刻步骤。