[发明专利]陶瓷金属化基板与其的制备方法

权利要求书

1.一种陶瓷金属化基板的制备方法，其特征在于，包括：

通过混合铜粉与金属氧化物来制备铜浆糊的工序；

在陶瓷基板的上部面涂敷上述铜浆糊的工序；以及

通过烧结上述铜浆糊来在上述陶瓷基板的上部面形成铜金属化层的工序。

2.根据权利要求1所述的陶瓷金属化基板的制备方法，其特征在于，上述金属氧化物包含选自由氧化铜(II)、氧化亚铜(I)、氧化铁(II)、三氧化二铁(III)、四氧化三铁(II、III)组成的组中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的陶瓷金属化基板的制备方法，其特征在于，上述金属氧化物在铜粉的表面具有氧化铜层。

4.根据权利要求1所述的陶瓷金属化基板的制备方法，其特征在于，上述铜粉的直径大小为0.1μm至10.0μm，上述金属氧化物的直径大小为5.0μm以下。

5.根据权利要求1所述的陶瓷金属化基板的制备方法，其特征在于，上述陶瓷基板为由氧化铝或二氧化锆制成的金属氧化物类陶瓷基板。

6.根据权利要求1所述的陶瓷金属化基板的制备方法，其特征在于，上述陶瓷基板通过对由氮化铝或氮化硅制成的非金属氧化物类陶瓷的表面进行氧化处理而成。

7.根据权利要求1所述的陶瓷金属化基板的制备方法，其特征在于，涂敷上述浆糊的工序使用选自由丝网印刷法、喷射法、三维印刷法组成的组中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的陶瓷金属化基板的制备方法，其特征在于，上述烧结工序在真空或还原气氛中以1065℃至1083℃的温度条件执行。

9.根据权利要求1所述的陶瓷金属化基板的制备方法，其特征在于，还包括通过选自由无电镀、电镀、溅射、印刷组成的组中的至少一种方法对铜金属化层进行厚膜化的工序。

10.根据权利要求1所述的陶瓷金属化基板的制备方法，其特征在于，还包括在上述铜金属化层上直接接合其他铜板或接合以铜为主要成分的部件的工序。

11.根据权利要求1所述的陶瓷金属化基板的制备方法，其特征在于，还包括在上述铜金属化层上混合接合镀敷除铜以外的其他异种金属的铜或异种金属的步骤。

12.一种陶瓷金属化基板，其特征在于，包括：

陶瓷基板，热导率为20W/mK以上；以及

铜金属化层，形成于上述陶瓷基板的上部面，

上述铜金属化层具有晶粒结构，上述晶粒的平均直径为5μm至50μm，上述铜金属化层的厚度为1μm至100μm。

13.根据权利要求12所述的陶瓷金属化基板，其特征在于，上述铜金属化层与上述陶瓷基板之间的接合强度为4N/mm以上。

14.根据权利要求12所述的陶瓷金属化基板，其特征在于，上述铜金属化层的铜含量为95％以上。

15.根据权利要求12所述的陶瓷金属化基板，其特征在于，上述陶瓷基板为由氧化铝或二氧化锆制成的金属氧化物类陶瓷基板。

16.根据权利要求12所述的陶瓷金属化基板，其特征在于，上述陶瓷基板通过对由氮化铝或氮化硅制成的非金属氧化物类陶瓷的表面进行氧化处理而成。