[发明专利]部分氢化的氯硅烷和通过选择性氢化制备其的方法

权利要求书

1.通过选择性氢化制备部分氢化的氯硅烷的方法，其包括：

(i)使式Si_nX_2n+2的离析物氯硅烷与氢化试剂反应以形成包含部分氢化的氯硅烷的反应产物，其中n是至少2的整数，并且X独立地选自H、Cl、烷基和芳基，条件是存在至少两个氯取代基，

其中与所述离析物氯硅烷相比，至少一个氯取代基但并非所有的氯取代基被转移至氢化取代基；和

(ii)从所述反应产物中分离所述部分氢化的氯硅烷，

其中所述氢化试剂是式R₂AlH的化合物，其中R为支链烃或环状烃，并且相对于所述离析物氯硅烷中存在的所述氯取代基，所述氢化试剂以亚化学计量的量存在。

2.根据权利要求1所述的方法，其中n为2至10，优选地n为2至6。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中X独立地选自H或Cl，优选地，X为Cl。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述离析物氯硅烷包含至少两个SiCl₃-基团。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述部分氢化的氯硅烷包含至少一个SiCl₃-基团和至少一个SiH₃-基团。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述离析物氯硅烷选自Si(SiCl₃)₄、HSi(SiCl₃)₃、Cl₃SiSiCl₂SiCl₃和Cl₃SiSiCl₃。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中R为异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、2,6-二甲基苯基、基(Mes)、2,6-双异丙基苯基、2,4,6-三异丙基苯基、2,4,6-三叔丁基苯基(Mes*)、2,4,6-三苯基苯基(Trip)、2,6-Mes(C₆H₃)或2,6-Trip(C₆H₃)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述氢化试剂是二异丁基氢化铝。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述反应(i)在-70℃至100℃的范围内、优选在-50℃至80℃的范围内、最优选在-30℃至60℃的范围内、特别是在0℃的温度下进行。

10.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述氢化试剂以每摩尔所述离析物氯硅烷约m-k摩尔的量使用，其中m是所述离析物氯硅烷中氯取代基的数目，k是所述部分氢化的氯硅烷中氯取代基的数目。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述分离(ii)通过蒸馏进行，优选通过在-30℃至100℃范围内的温度和0.01毫巴至1100毫巴范围内的压力下进行。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述反应(i)是无溶剂的。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中(i)的反应时间在0.1小时和12小时之间，进一步优选在1小时和8小时之间，特别优选在2小时和6小时之间。

14.氯硅烷，其由式Cl₃SiSi(SiH₃)₃、(Cl₃Si)₂Si(SiH₃)₂或HSi(SiH₃)₂SiCl₃表示。