[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980043643.5 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN112352318A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;马场晴之;奥野直树;小松良宽;大野敏和 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/1156 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一绝缘体；
所述第一绝缘体上的第一氧化物；
所述第一氧化物上的第二氧化物；
所述第二氧化物上的第三氧化物及第四氧化物；
所述第三氧化物上的第一导电体；
所述第四氧化物上的第二导电体；
所述第二氧化物上的第五氧化物；
所述第五氧化物上的第二绝缘体；以及
所述第二绝缘体上的第三导电体，
其中，所述第五氧化物与所述第二氧化物的顶面、所述第一导电体的侧面、所述第二导电体的侧面、所述第三氧化物的侧面及所述第四氧化物的侧面接触，
所述第二氧化物包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)以及Zn，
所述第一氧化物及所述第五氧化物各自包含所述第二氧化物所包含的构成要素中的至少一个，
所述第三氧化物及所述第四氧化物各自包含元素M，
并且，所述第三氧化物及所述第四氧化物具有其所述元素M的浓度比所述第二氧化物高的区域。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第三氧化物及所述第四氧化物各自具有厚度为0.5nm以上且5nm以下的区域。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
其中所述第三氧化物及所述第四氧化物各自具有厚度为1nm以上且3nm以下的区域。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
其中所述第三氧化物及所述第四氧化物各自包含镓。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，
其中所述第三氧化物及所述第四氧化物各自具有结晶性。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，
其中所述第二氧化物具有结晶性。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，
其中所述第一氧化物、所述第三氧化物、所述第四氧化物及所述第五氧化物的组成大致相同。
8.一种半导体装置，包括：
第一绝缘体；
所述第一绝缘体上的第一氧化物；
所述第一氧化物上的第二氧化物；
所述第二氧化物上的第三氧化物及第四氧化物；
所述第三氧化物上的第一导电体；
所述第四氧化物上的第二导电体；
所述第二氧化物上的第五氧化物；
所述第五氧化物上的第二绝缘体；
所述第二绝缘体上的第三导电体；
所述第一导电体及所述第二导电体上的第三绝缘体；以及
所述第三绝缘体上的第四绝缘体，
其中，所述第五氧化物与所述第二氧化物的顶面、所述第一导电体的第一侧面、所述第二导电体的第一侧面、所述第三氧化物的第一侧面、所述第四氧化物的第一侧面以及所述第三绝缘体的侧面接触，
所述第五氧化物与设置在所述第四绝缘体中的开口部的侧面接触，
所述第三导电体以填充所述开口部的方式设置，
所述第二氧化物包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)以及Zn，
所述第一氧化物及所述第五氧化物各自包含所述第二氧化物所包含的构成要素中的至少一个，
所述第三氧化物及所述第四氧化物各自包含元素M，
并且，所述第三氧化物及所述第四氧化物具有其所述元素M的浓度比所述第二氧化物高的区域。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，
其中所述第三绝缘体与所述第一导电体的第二侧面、所述第二导电体的第二侧面、所述第三氧化物的第二侧面、所述第四氧化物的第二侧面以及所述第二氧化物的侧面接触。
10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，
其中所述第五氧化物具有叠层结构，
并且所述第五氧化物包含第六氧化物以及所述第六氧化物上的第七氧化物。
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