[发明专利]减少射频集成电路中单片芯片电感器和变压器的欧姆损耗在审
| 申请号: | 201980042959.2 | 申请日: | 2019-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN112335042A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
| 发明(设计)人: | A·E·赖德尔 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01F41/07;H01L49/02 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;熊剑 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 减少 射频 集成电路 单片 芯片 电感器 变压器 欧姆 损耗 | ||
1.一种射频集成电路的单片电感器的装置,所述装置包括:
第一绕组,所述第一绕组包括彼此按预定的间距间隔开的多个股线;
第二绕组,所述第二绕组与所述第一绕组基本上径向对称,用于产生径向对称的磁场;以及,
多个缠绕部,所述多个缠绕部位于沿所述第一绕组的不同位置,并被构造为在所述不同位置耦合至所述第一绕组,并在所述不同位置跨接所述第一绕组的多个股线。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述多个缠绕部中的缠绕部被构造为在沿着所述第一绕组的所述不同位置处将所述多个股线的第一股线与所述多个股线的第二股线交叉耦合。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的装置,其中,所述多个缠绕部被构造为使得能够在所述第一绕组的多个股线之间实现基本均等的电流分布。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的装置,其中,所述多个股线被构造为:响应于射频集成电路以等于或大于一千兆赫兹的频率工作,增加可用于传导射频(RF)电流的所述第一绕组的有效横截面面积。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的装置,其中所述第二绕组的实心宽度大约等于所述第一绕组的宽度。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的装置,其中,所述多个股线包括成对的股线之间的间距,所述间距彼此大致相等。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的装置,其中,所述多个缠绕部中的缠绕部被构造为在射频集成电路的工作频率范围内增加所述第一绕组的品质(Q)因子。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的装置,其中,所述多个缠绕部中的缠绕部包括沿所述第一绕组将所述多个股线中的最里面的股线缠绕到所述多个股线中的最外面的股线的位置的路径,或者将最外面的股线缠绕到最里面的股线的位置的路径。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的装置,其中,所述多个缠绕部中的缠绕部包括将所述多个股线中的至少一个股线调整到所述第一绕组内的不同位置,在角路径中在所述多个股线中的第一股线和第二股线之间平行地延伸。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的装置,其中,所述不同位置包括沿着第一绕组的数量比所述第一绕组中的多个股线至少少1。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的装置,其中,所述多个缠绕部沿着所述第一绕组的绕基于角场梯度的中心点的角路径不对称地间隔开或对称地间隔开。
12.一种射频集成电路的电感器的系统,该系统包括:
包括多个电感器绕组的单片电感器,其中,所述多个电感器绕组包括至少一个第一绕组和至少一个第二绕组,其中,所述至少一个第一绕组包括N个股线,所述N个股线在第一绕组内彼此分离并且间隔开,其中,N包括等于或大于2的整数;以及,
在沿着所述至少一个第一绕组的不同位置处的作为缠绕部的多个缠绕部件,所述多个缠绕部件被构造成在所述不同位置处跨接所述至少一个第一内绕组的N个股线。
13.根据权利要求12所述的系统,其中,所述多个电感器绕组中的电感器绕组彼此径向对称,以在射频集成电路的工作频率范围内产生径向对称的磁场,并且包括相同的径向中心。
14.根据权利要求12-13中任一项所述的系统,还包括:
变压器,包括作为初级电感器的单片电感器,在所述至少一个第一绕组的所述不同位置处具有所述多个缠绕部件;以及作为次级电感器的第二单片电感器,相对于所述单片电感器基本上同心地布置在一个平面上,并构造为与所述初级电感器电磁耦合或相互谐振。
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