[发明专利]器件在审
| 申请号: | 201980042612.8 | 申请日: | 2019-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN112352330A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
| 发明(设计)人: | 托马斯·费希廷格尔;斯特凡·萨克斯 | 申请(专利权)人: | TDK电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;支娜 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 器件 | ||
1.一种器件(1),所述器件具有:
发光元件(2),和
设置在所述发光元件(2)上的结构化层(6),所述结构化层具有光学功能。
2.根据上一项权利要求所述的器件(1),
其中所述结构化层(6)构成为,使得所述结构化层将由所述发光元件(2)放射的光准直、发散和/或扩展,
和/或
其中所述结构化层(6)形成菲涅尔透镜。
3.根据上述权利要求中任一项所述的器件(1),
其中所述结构化层(6)具有第一区域(8)和第二区域(9),所述第一区域具有第一光学功能,所述第二区域具有第二光学功能,其中所述第二光学功能与所述第一光学功能不同。
4.根据上一项权利要求所述的器件(1),
其中所述第一光学功能是准直、发散和/或扩展,
并且
其中所述第二光学功能是准直、发散和/或扩展。
5.根据权利要求3或4所述的器件(1),
其中所述第一区域(8)直接设置在所述发光元件(2)之上,并且其中所述第二区域(9)在所述发光元件(2)的侧向设置并且不覆盖所述发光元件(2),
或者
其中所述第一区域(8)和所述第二区域(9)直接设置在所述发光元件(2)之上。
6.根据上述权利要求中任一项所述的器件(1),
其中所述结构化层(6)具有多个子层(13、13’、14),所述多个子层在其物理特性和/或其化学特性和/或其功能特性方面彼此不同。
7.根据上述权利要求中任一项所述的器件(1),
其中所述结构化层(6)的结构化部设置在所述结构化层(6)的背离所述发光元件(2)的上侧(6a)上,
和/或
其中所述结构化层(6)的所述结构化部设置在所述结构化层(6)的朝向所述发光元件(2)的下侧上。
8.根据上述权利要求中任一项所述的器件(1),
其中所述结构化层(6)包裹所述发光元件(2)。
9.根据上述权利要求中任一项所述的器件(1),
其中所述结构化层(6)的层厚度位于1μm和1000μm之间。
10.根据上述权利要求中任一项所述的器件(1),
其中在所述结构化层(6)和所述发光元件(2)之间设置有光转换层(4)。
11.根据上述权利要求中任一项所述的器件(1),
其中在所述结构化层(6)的背离所述发光元件(2)的上侧(6a)上设置有至少一个光学组件。
12.根据上述权利要求中任一项所述的器件(1),
其中所述器件(1)具有承载衬底(3),在所述承载衬底上设置有发光元件(2),
其中至少一个另外的发光元件(2)设置在所述承载衬底上,
并且
其中在所述发光元件(2)和所述另外的发光元件(2)之间设置有中间层(5)。
13.根据上一项权利要求所述的器件(1),
其中所述中间层(5)构成用于,将由所述发光元件(2)耦合输入到所述中间层(5)中的光吸收、反射、散射或转换。
14.根据权利要求12或13所述的器件(1),
其中所述中间层(5)由所述结构化层(6)遮盖,
并且
其中在所述结构化层(6)的背离所述中间层(5)的上侧(6a)上,在所述中间层(5)之上设置有附加的光转换层(12)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





