[发明专利]成膜方法、成膜系统以及成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于，包括以下工序：

将形成有绝缘膜的基板配置于处理容器内，在减压气氛下向所述处理容器内重复供给含Ti气体、含Al气体以及反应气体来形成基底膜；以及

通过金属材料在形成有所述基底膜的所述基板形成金属层。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在形成所述基底膜的工序中，将以下工序至少重复一次：

将隔着吹扫工序进行的所述含Ti气体和所述反应气体的交替供给至少重复一次，由此形成第一基底膜；以及

将隔着吹扫工序进行的含Al气体和所述反应气体的交替供给至少重复一次，由此形成第二基底膜。

3.根据权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，

在形成所述基底膜的工序中，

在形成所述基底膜的下部的情况下，相比于形成所述第二基底膜的工序更多地执行形成所述第一基底膜的工序，

在形成所述基底膜的上部的情况下，相比于形成所述第一基底膜的工序更多地执行形成所述第二基底膜的工序。

4.根据权利要求2或3所述的成膜方法，其特征在于，

在形成所述基底膜的工序中，首先执行形成所述第一基底膜的工序。

5.根据权利要求2至4中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

在形成所述基底膜的工序中，最后执行形成所述第二基底膜的工序。

6.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在形成所述基底膜的工序中，

在形成所述基底膜的下部的情况下，使所述含Ti气体的供给量比所述含Al气体的供给量多，在形成所述基底膜的上部的情况下，使所述含Ti气体的供给量比所述含Al气体的供给量少，并且隔着吹扫工序重复向所述处理容器内依序供给所述含Ti气体、所述含Al气体以及所述反应气体，来形成所述基底膜。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

所述含Ti气体包括TiCl₄、TDMAT、TMEAT中的任一方，

所述含Al气体包括TMA、AlCl₃中的任一方。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

在形成所述基底膜的工序中，将所述基板的温度加热至250℃～550℃来形成基底膜。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

形成所述金属层的工序包括形成金属的初始膜的核形成工序和形成金属的主膜的主工序。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

所述金属材料含有W、Cu、Co、Ru、Mo中的任一方。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

所述反应气体为含N气体、稀有气体、非活性气体中的任一方。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

所述反应气体为NH₃气体、肼气体中的任一方。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

所述基底膜的膜厚设为3.5nm以下。

14.根据权利要求1至13中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

在所述基底膜中，Ti与Al的组成比为20～95％：5～80％。

15.根据权利要求1至14中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

所述基底膜为非晶膜。