[发明专利]用于选择性亲水表面处理的臭氧

权利要求书

1.一种用于处理工件的方法，所述工件包括半导体材料，所述工件包括第一层和第二层，工艺包括：

将所述工件放置在处理腔室中的工件支撑件上；

允许工艺气体进入所述处理腔室，所述工艺气体包括臭氧气体；

将所述第一层和所述第二层暴露于所述工艺气体，以改变所述第一层的表面润湿角。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层为硅氮化物层，且所述第二层为低-k介电层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述低-k介电层为SiOC层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述方法进一步包括在硅氮化物层上沉积光阻层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，允许臭氧气体穿过将等离子体腔室与所述处理腔室隔开的隔栅。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，允许臭氧气体穿过一个或多个气体注入口进入所述隔栅。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，允许臭氧气体来自位于将所述处理腔室与等离子体腔室隔开的隔栅下方的气体注入口。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述工件处于处理温度时，发生将所述第一层和所述第二层暴露于工艺气体，以改变所述第一层的表面润湿角，所述处理温度在约25℃至约500℃的范围内。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述处理温度在约150℃至约500℃的范围内。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工艺气体中臭氧气体的浓度在约0.1重量％至约20重量％的范围内。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工艺气体中臭氧气体的浓度在约0.5重量％至约5重量％的范围内。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工艺气体包括载气，所述载气为氮气或惰性气体中的一种或多种。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工艺气体包括氧气气体(O₂气)。

14.根据权利要求1所述的方法，将所述第一层和所述第二层暴露于所述工艺气体以改变所述第一层的表面润湿角的发生一段工艺周期，所述工艺周期在约5秒至600秒的范围内。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述工艺周期在约30秒至90秒的范围内。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，以脉冲模式实施允许所述工艺气体进入处理腔室以及将所述第一层和所述第二层暴露于工艺气体以改变所述第一层的表面润湿角。

17.一种用于处理工件的方法，所述工件包括半导体材料，所述工件包括硅氮化物层和低-k介电层，工艺包括：

将所述工件放置在处理腔室中的工件支撑件上；

对所述工件进行基于臭氧的亲水性表面处理工艺，所述基于臭氧的亲水性表面处理工艺包括：

允许工艺气体进入所述处理腔室，所述工艺气体包括臭氧气体；

在所述工件处于处理温度的同时，将硅氮化物层和低-k介电层暴露于工艺气体一段工艺周期，以改变硅氮化物层的表面润湿角；

其中，所述工艺气体中臭氧气体的浓度在约0.1重量％至约20重量％的范围内；

其中，所述处理温度在约25℃至约500℃的范围内；和

其中，所述工艺周期在约5秒至600秒的范围内。