[发明专利]用于生产针对防辐射优化的电路的方法

权利要求书

1.一种用于生产针对防辐射来优化的电路的生产方法，所述生产方法包括在包含至少一个参考表面的参考电路上执行的初步表征阶段，所述至少一个参考表面上分布有辐射敏感参考元件(5，9，12，16，20)，所述初步表征阶段包括以下步骤：

·多次辐照所述参考电路；

·每次辐照后，如果所述参考电路的一个或多个参考元件已经失效，则定位所述参考元件；以及

·所述参考电路的所述参考表面上映射所述辐照的影响；

·所述生产方法进一步包括优化阶段，所述优化阶段包括根据在所述参考电路上执行的所述映射来适配至少一个经优化辐射敏感元件(35，37，39)在经优化电路的至少一个经优化表面上的位置。

2.如权利要求1所述的生产方法，其特征在于，在所述参考电路的特定参考元件失效的情况下，所述映射包括根据所述特定参考元件和至少一个其他参考元件的位置来估计所述其他参考元件同时失效的概率的步骤。

3.如权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述映射包括定义包含所述参考电路的多个参考元件的至少一个失效群的步骤，所述失效群使得所述失效群中的至少两个参考元件的同时失效的概率大于预定阈值。

4.如权利要求3所述的生产方法，其特征在于，所述优化阶段包括确保所述经优化电路的在共同功能内协作的两个经优化元件没有呈现出与所述参考电路的属于同一失效群的两个参考元件的位置相对应的位置。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述功能是寻求硬化所述经优化电路来防辐射的硬化功能。

6.如权利要求5所述的生产方法，其特征在于，所述硬化功能是三模冗余。

7.如权利要求5所述的生产方法，其特征在于，所述硬化功能是纠错编码。

8.如任一前述权利要求所述的生产方法，其特征在于，每一参考元件是包括一个或多个双稳态的参考寄存器，所述初步表征阶段包括在所述辐照之前执行的用已知数据填充所述参考电路的每个参考寄存器的步骤，失效的参考寄存器是通过检测包含与所述已知数据不同的数据的参考寄存器来标识的。

9.一种使用如任一前述权利要求的生产方法来生产的经优化电路。

10.一种经优化电路，包括布置成执行多个功能的经优化元件，对于每一功能，所述经优化电路使得在所述功能内协作的两个经优化元件被定位在与所述参考电路的属于不同失效群的两个参考元件的位置相对应的位置，所述失效群由如权利要求3所述的生产方法来定义。

11.一种如权利要求9或权利要求10所述的经优化电路，其特征在于，所述经优化电路是FPGA或ASIC。

12.一种如权利要求9或权利要求10所述的经优化电路，其特征在于，所述经优化电路是模拟电路。

13.一种包括如权利要求9到12中任一项所述的经优化电路的电路卡。

14.一种包括如权利要求13所述的电路卡的惯性测量单元。

15.一种包括如权利要求14所述的惯性测量单元的导航系统。

16.一种放置和布线工具，其被布置成采集第一放置和布线以及还有在如权利要求1到8中任一项所述的生产方法中执行的映射的结果，所述放置和布线工具还被布置成在所述第一放置和布线上执行如任一前述权利要求所述的生产方法的优化阶段以获得第二放置和布线。

17.如权利要求16所述的放置和布线工具，其特征在于，所述放置和布线工具被布置成执行FPGA的放置和布线。

18.如权利要求16所述的放置和布线工具，其特征在于，所述放置和布线工具被布置成执行ASIC的放置和布线。