[发明专利]用于以含碳层对基底覆层的设备

说明书

本发明涉及一种用于在带状的连续的基底(2)上沉积石墨烯、碳纳米管或其它尤其含碳的层的设备，所述基底(2)通过入口(12)进入反应器壳体(1)并且通过出口(12’)离开反应器壳体(1)，所述基底(2)沿传输方向从入口(12)经过布置在所述反应器壳体(1)中的、由控温装置(8)调温的处理区(5)被传输到出口(12’)。按照本发明，在所述处理区(5)与入口(12)之间和/或在所述处理区(5)与出口(12')之间布置有阻隔热传递的器件(14，15，16，17)，通过所述阻隔热传递的器件减小从所述处理区(5)到入口(12)或出口(12’)的热传递。此外，设有导引元件(11)，用于将基底(2)导引入直接与开口(12，12’)邻接的区域中。

技术领域

本发明涉及一种用于在带状的连续的基底上沉积石墨烯、碳纳米管或其它尤其含碳的层的设备，所述基底通过入口进入反应器壳体并且通过出口离开反应器壳体，所述基底沿传输方向从入口经过布置在所述反应器壳体中的、尤其由至少一个加热装置调温的处理区被传输到出口，供气管路的进气口通入所述处理区。

技术背景

在美国申请文件US 9,227,171 B2中描述一种用于沉积含碳涂层如石墨烯或碳纳米管(CNT)的含碳涂层的设备。在此描述的设备具有沿水平方向延伸的反应器，该设备具有多个在水平方向上并排的区域，连续的基底被输送穿过该多个区域。

US 2016/0031712 Al示出一种用于制造石墨烯的设备，该设备具有多个沿基底的传输方向依次布置的处理区。在处理区中设有一些加热装置，以使该基底达到处理温度。

从US 2017/0314134 Al中已知一种用于处理基底的设备，其具有隔热罩。

现有技术还包括US 2018/0209044 A1、JP 202-166991 A、DE 103 22 935 A1、DE10 2014 106 451 A1和DE 10 2015 013 799 A1。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，使用有利地改进前述类型的设备并且尤其提供一种可以改善覆层效果的手段。

按照本发明的用于沉积石墨烯或碳纳米管(Carbon-Nano-Tubes)或另外的尤其含碳层的设备具有反应器壳体，该反应器壳体具有两个相对置的开口。尤其缝隙状的开口形成用于基底的入口。第二开口形成用于基底的出口。该基底优选是带状金属板，该带状金属板从第一卷轴拉出并且连续地穿过反应器的处理区，以便它通过出口再次离开。在出口的后方具有第二卷轴，基底卷绕在该第二卷轴上。进气口可以通入处理区，该进气口可以是管状的气体管路的端部，通过该气体管路可以将处理气体、例如CH₄或另外的含碳气体导入处理区中。在对置侧上具有出气口，通过该出气口可以将气态的组分从处理区中泵出。处理气体优选与不和处理气体反应的惰性气体一起导入。必须采取措施防止氧气从反应器外部进入反应器。为此，入口和/或出口可以用惰性气体冲洗，从而形成扩散屏障。规定可以在反应器的壁的区域内调节入口间隙或出口间隙的间隙宽度。在反应器的内部具有控温装置，通过该控温装置可以控制基底的温度或控制包围基底的大气的温度。控温装置尤其是加热装置，通过该加热装置可以加热处理气体，从而尤其通过热分解形成碳，碳以石墨烯或碳纳米管的形式被沉积在基底上。反应器的壁的包围入口和出口的区域可以通过适合的器件被冷却。本发明提供一种器件，以便阻隔从加热的处理区到入口或出口的热传递。