[发明专利]用于集成屏蔽环行器的方法和设备

权利要求书

1.一种集成屏蔽环形器设备，该设备包括：

a. 集成电路衬底，所述衬底具有其上布置金属的区域，所述金属中具有多个孔口，各个所述孔口与对应的RF传输线相关联并且在使用中与其电磁连通，该RF传输线也布置在（i）所述集成电路衬底上或中，或者（ii）布置在所述区域上的所述金属上或中；

b. 铁氧体材料的主体，该主体布置在集成电路衬底上方或下方，与所述其上布置金属的区域相邻，并且布置在所述金属区域中的所述孔口上、上方或下面；以及

c. 金属材料，该金属材料封装所述铁氧体材料的主体。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，在与单个铁氧体材料的主体相关联的金属中有且仅有三个孔口，并且有且仅有一个RF传输线与单个铁氧体材料的主体相关联的各个所述孔口相关联。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述对应的RF传输线选自由微带、共面波导和带状线组成的组。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的设备，其中，所述铁氧体材料的主体在从其顶部向下观察时具有圆形形状。

5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述孔口具有弓形形状。

6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述孔口的中心线全部位于共同的圆形形状上。

7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述孔口的所述中心线与所述铁氧体材料的主体的圆形形状同心。

8.根据权利要求1至3中任意一项所述的设备，其中，所述孔口具有直线形状。

9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述RF传输线布置在所述集成电路衬底的第一主表面上，并且所述金属中的所述孔口与所述集成电路衬底的第二主表面相邻地出现。

10.根据权利要求1至3中任意一项所述的设备，其中，所述RF传输线布置在所述集成电路衬底的第一主表面上，并且所述金属中的所述孔口与所述集成电路衬底的所述第一主表面相邻地出现，并且所述设备还包括布置在所述集成电路衬底的第二主表面上的接地面。

11.根据权利要求1至3或9中任意一项所述的设备，其中，封装所述铁氧体材料的主体的所述金属材料包括布置在所述铁氧体材料的主体上的所述金属材料的涂层。

12.一种与RF集成电路组合的RF环行器，所述RF集成电路具有在所述RF集成电路中或上的多个RF传输线，所述RF环行器包括：铁氧体材料的主体，该主体布置在金属材料上，该金属材料布置在所述RF集成电路上或中，所述铁氧体材料的主体在布置在所述RF集成电路上时远离所述RF集成电路延伸；封装金属材料，该封装金属材料封装远离所述RF集成电路延伸的所述铁氧体材料的主体的外表面的大部分，所述封装金属材料在其中具有与所述铁氧体材料的主体相邻的多个孔口，这些孔口在使用中与所述铁氧体材料的主体和所述多个RF传输线电磁连通。

13.根据权利要求12所述的与RF集成电路组合的RF环行器，其中，金属腔至少部分地由布置在所述RF集成电路上或中的所述金属材料和所述封装金属材料形成，所述铁氧体材料的主体位于所述金属腔中。

14.根据权利要求12或13所述的与RF集成电路组合的RF环行器，其中，所述铁氧体材料的主体为包括BaFeO和/或SrFeO的铁氧体材料的主体的形式。

15.根据权利要求12或13所述的与RF集成电路组合的RF环行器，其中，所述封装金属材料包括布置在所述铁氧体材料的主体上的所述封装金属材料的涂层。