[发明专利]光接收元件、测距模块和电子设备在审
申请号: | 201980038147.0 | 申请日: | 2019-06-21 |
公开(公告)号: | CN112219280A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 片山泰志 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01C3/06;H01L29/423;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接收 元件 测距 模块 电子设备 | ||
本发明涉及能够减少电荷传输期间的信号劣化的光接收元件、测距模块和电子设备。所述光接收元件包括像素,所述像素至少包括:第一电荷保持单元和第二电荷保持单元,它们每者保持由光电二极管产生的电荷;第一传输晶体管,其将所述电荷传输到所述第一电荷保持单元;和第二传输晶体管,其将所述电荷传输到所述第二电荷保持单元,其中,所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管均由包括垂直栅电极部的垂直晶体管构成。本技术可以应用于例如通过间接ToF方法执行测距的光接收元件等。
技术领域
本发明涉及光接收元件、测距模块和电子设备,并且更具体地涉及能够减少电荷传输期间的信号劣化的光接收元件、测距模块和电子设备。
背景技术
通过飞行时间(ToF:time of flight)方法来测量距物体的距离的半导体检测元件是已知的。在ToF方法半导体检测元件中,从光源发射的光照射在物体上并被反射,并且反射光被光电二极管光电转换。通过一对被交替驱动的栅电极将通过光电转换产生的信号电荷分配给两个浮动扩散部(FD)(例如,参见专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请国家公开特开号2007-526448
发明内容
本发明要解决的问题
在使用上述一对栅电极结构的半导体检测元件中,需要减少由于在传输期间当导通的一个栅电极关断时信号电荷返回到光电二极管而导致的信号劣化。
考虑到这种情况而提出了本技术,并且本发明旨在能够减少电荷传输期间的信号劣化。
技术方案
本技术的第一方面的光接收元件包括像素,所述像素至少包括:第一电荷保持单元和第二电荷保持单元,它们每者保持由光电二极管产生的电荷;第一传输晶体管,其将所述电荷传输到所述第一电荷保持单元;和第二传输晶体管,其将所述电荷传输到所述第二电荷保持单元,其中,所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管均由包括垂直栅电极部的垂直晶体管构成。
本技术的第二方面的测距模块包括:光接收元件,其包括像素;光源,其发出亮度周期性变化的照射光;以及发光控制单元,其控制照射光的照射时序,所述像素包括至少包括:第一电荷保持单元和第二电荷保持单元,它们每者保持由光电二极管产生的电荷;第一传输晶体管,其将所述电荷传输到所述第一电荷保持单元;和第二传输晶体管,其将所述电荷传输到所述第二电荷保持单元,其中,所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管均由包括垂直栅电极部的垂直晶体管构成。
本技术的第三方面的一种包括光接收元件电子设备,所述光接收元件包括像素,所述像素至少包括:第一电荷保持单元和第二电荷保持单元,它们每者保持由光电二极管产生的电荷;第一传输晶体管,其将所述电荷传输到所述第一电荷保持单元;和第二传输晶体管,其将所述电荷传输到所述第二电荷保持单元,其中,所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管均由包括垂直栅电极部的垂直晶体管构成。
在本技术的第一至第三方面中,像素至少设置有:第一电荷保持单元和第二电荷保持单元,它们每者保持由光电二极管产生的电荷;第一传输晶体管,其将所述电荷传输到所述第一电荷保持单元;和第二传输晶体管,其将所述电荷传输到所述第二电荷保持单元,其中,所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管均由包括垂直栅电极部的垂直晶体管构成。
光接收元件、测距模块和电子设备可以是独立的设备或结合在另一设备中的模块。
发明的效果
根据本技术的第一至第三方面,可以减少电荷传输期间的信号劣化。
注意,这里说明的效果不必受到限制,并且可以是本公开中说明的任何效果。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的