[发明专利]用于存储器单元的电极的制造

说明书

描述了用于制造存储器单元的方法、系统和装置。电极层在形成之后可具有初始厚度变化。可在形成存储器单元的附加层之前使所述电极层平滑，从而减小所述厚度变化。所制造的后续层的厚度变化可取决于所述电极层的所述厚度变化。通过在形成所述后续层之前减小所述电极层的所述厚度变化，所述后续层也可以具有减小的厚度变化。所述后续层的所述减小的厚度变化可影响由所述后续层形成的存储器单元的电性能。在一些情况下，所述后续层的所述减小的厚度变化可允许此类存储器单元的更可预测的电压阈值，从而增加了所述存储器单元的读窗口。

交叉引用

本专利申请要求于2018年6月6日提交的郑(Zheng)等人的题为“用于存储器单元的电极的制造(Fabrication of Electrodes for Memory Cells)”的第16/001,795号美国专利申请的优先权，所述美国专利申请转让给本受让人，并且以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

下文大体上涉及制造存储器单元，且更具体地，涉及用于存储器单元的电极的制造。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储信息。例如，二进制装置具有两个状态，通常表示为逻辑“1”或逻辑“0”。在其它系统中，可存储超过两个状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可以在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍可维持所存储逻辑状态很长一段时间。例如DRAM的易失性存储器装置除非被外部电源周期性地刷新，否则可能随时间推移而丢失其所存储状态。FeRAM可使用与易失性存储器类似的装置架构，但归因于使用铁电电容器作为存储装置而可具有非易失性性质。因此，与其它非易失性和易失性存储器装置相比，FeRAM装置可具有改进的性能。

在一些存储器装置中，存储器单元的电性能(例如，存储器单元的一或多个阈值电压)可至少部分地取决于存储器单元的物理尺寸。可能需要用于减小物理尺寸的变化并因此减小与存储器装置相关联的存储器单元的电性能的变化的解决方案。

附图说明

图1A到1C示出根据本公开的实施例的制造技术的实例。

图2A和2B示出根据本公开的实施例的制造技术的实例。

图3到5示出根据本公开的实施例的用于制造存储器单元的方法。

具体实施方式

可至少部分通过形成各种材料的堆叠来形成一些存储器装置(例如，可形成材料的堆叠，且可向所述堆叠应用额外工艺步骤)。在一些情况下，堆叠的各层可以顺序地形成，因此堆叠的形成可以涉及在堆叠的第一先前层之上或顶部形成堆叠的第二层。形成第一层的方法可能导致所述层具有粗糙的表面和相关联的厚度变化。如果堆叠的第二层形成为与不平坦的第一层接触，则第一层的厚度变化可向上传播至下一个第二层，从而也导致第二层的厚度变化。厚度变化可能会影响一层、两层和/或组件的性能。例如，当给定层中的材料暴露于不同的电压(例如，材料或所述层的阈值电压)时，材料性能可取决于所述层的厚度。因此，可能希望最大限度地减小先前层的厚度变化，以最大限度地提高随后层中的厚度均匀性。