[发明专利]电声谐振器以及包括电声谐振器的RF滤波器在审
申请号: | 201980037904.2 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN112243567A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | M·佩恩派因特纳;S·安曼;K·瓦格纳 | 申请(专利权)人: | RF360欧洲有限责任公司 |
主分类号: | H03H3/10 | 分类号: | H03H3/10;H03H9/02;H03H9/145 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 傅远 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电声 谐振器 以及 包括 rf 滤波器 | ||
1.一种电声谐振器,包括:
-压电材料;以及
-所述压电材料上的电极结构,
其中:
-具有波长λ的声学主模式能够传播,
-所述压电材料是铌酸锂或掺杂的铌酸锂,并且
-具有由欧拉角(0°,80°至88°,0°)限定的晶体切型。
2.根据前述权利要求所述的谐振器,其中所述压电材料具有由欧拉角(0°,80°至83°,0°)限定的晶体切型。
3.根据前述两项权利要求中一项所述的谐振器,还包括TCF层,所述TCF层布置在所述电极结构和所述压电材料上或上方。
4.根据前述权利要求所述的谐振器,其中所述TCF层包括SiO2或SiOF。
5.根据前述两项权利要求中一项所述的谐振器,其中所述TCF层具有20%λ至40%λ的厚度。
6.根据前述权利要求中一项所述的谐振器,还包括钝化层,所述钝化层布置在所述TCF层上或上方。
7.根据前述权利要求所述的谐振器,其中所述钝化层包括SiN。
8.根据前述两项权利要求中一项所述的谐振器,其中所述钝化层具有1%λ至4%λ的厚度。
9.根据前述权利要求中一项所述的谐振器,其中所述电极结构包括选自Au、Cu、Pt和W的金属。
10.根据前述权利要求中一项所述的谐振器,其中所述电极结构具有6%λ至15%λ的厚度。
11.根据前述权利要求中一项所述的谐振器,其中:
所述主模式是剪切模式或类似剪切的模式。
12.根据前述权利要求中一项所述的谐振器,所述谐振器是SAW谐振器或GBAW谐振器。
13.一种RF滤波器,包括前述权利要求中一项所述的谐振器。
14.根据权利要求13所述的滤波器,所述滤波器是用于频带28、频带71、频带41、频带42或频带43的带通滤波器。
15.根据权利要求13所述的滤波器,所述滤波器是用于频带3、频带8、频带20或频带26的带通滤波器。
16.根据权利要求13所述的滤波器,所述滤波器是用于频带40、频带48、频带66或频带68的带通滤波器。
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