[发明专利]电声谐振器以及包括电声谐振器的RF滤波器在审

专利信息
申请号: 201980037904.2 申请日: 2019-04-17
公开(公告)号: CN112243567A 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: M·佩恩派因特纳;S·安曼;K·瓦格纳 申请(专利权)人: RF360欧洲有限责任公司
主分类号: H03H3/10 分类号: H03H3/10;H03H9/02;H03H9/145
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 傅远
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电声 谐振器 以及 包括 rf 滤波器
【权利要求书】:

1.一种电声谐振器,包括:

-压电材料;以及

-所述压电材料上的电极结构,

其中:

-具有波长λ的声学主模式能够传播,

-所述压电材料是铌酸锂或掺杂的铌酸锂,并且

-具有由欧拉角(0°,80°至88°,0°)限定的晶体切型。

2.根据前述权利要求所述的谐振器,其中所述压电材料具有由欧拉角(0°,80°至83°,0°)限定的晶体切型。

3.根据前述两项权利要求中一项所述的谐振器,还包括TCF层,所述TCF层布置在所述电极结构和所述压电材料上或上方。

4.根据前述权利要求所述的谐振器,其中所述TCF层包括SiO2或SiOF。

5.根据前述两项权利要求中一项所述的谐振器,其中所述TCF层具有20%λ至40%λ的厚度。

6.根据前述权利要求中一项所述的谐振器,还包括钝化层,所述钝化层布置在所述TCF层上或上方。

7.根据前述权利要求所述的谐振器,其中所述钝化层包括SiN。

8.根据前述两项权利要求中一项所述的谐振器,其中所述钝化层具有1%λ至4%λ的厚度。

9.根据前述权利要求中一项所述的谐振器,其中所述电极结构包括选自Au、Cu、Pt和W的金属。

10.根据前述权利要求中一项所述的谐振器,其中所述电极结构具有6%λ至15%λ的厚度。

11.根据前述权利要求中一项所述的谐振器,其中:

所述主模式是剪切模式或类似剪切的模式。

12.根据前述权利要求中一项所述的谐振器,所述谐振器是SAW谐振器或GBAW谐振器。

13.一种RF滤波器,包括前述权利要求中一项所述的谐振器。

14.根据权利要求13所述的滤波器,所述滤波器是用于频带28、频带71、频带41、频带42或频带43的带通滤波器。

15.根据权利要求13所述的滤波器,所述滤波器是用于频带3、频带8、频带20或频带26的带通滤波器。

16.根据权利要求13所述的滤波器,所述滤波器是用于频带40、频带48、频带66或频带68的带通滤波器。

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