[发明专利]基于多个散射信号的嵌入式粒子深度分级

说明书

本发明揭示一种检验系统，其可包含用于产生照明束的照明源、用于导引所述照明束到样本的照明光学器件。所述系统可进一步包含用于从所述样本收集第一立体角范围内且依第一选定偏振的光的第一收集通道。所述系统可进一步包含用于从所述样本收集第二角范围(第二立体角范围)内且依第二选定偏振的光的第二收集通道。所述系统可进一步包含用于接收两个或更多个散射信号的控制器。所述散射信号可包含具有选定偏振的来自所述第一收集通道及所述第二收集通道的信号。所述控制器可基于比较所述两个或更多个散射信号与训练数据来进一步确定所述样本中缺陷的深度，所述训练数据包含来自具有已知深度处的已知缺陷的训练样本的数据。

相关申请案的交叉参考

本申请案根据35U.S.C.§119(e)主张名叫张海平(Haiping Zhang)及亚历克斯·余(Alex Yu)的发明者于2018年6月19日申请的标题为“使用按两个以上扫描的基于通道的方法的嵌入式粒子深度分级(EMBEDDED PARTICLE DEPTH BINNING USING CHANNEL BASEDMETHOD BY MORE THAN TWO SCANS)”的第62/687,123号美国临时申请案的权益，所述案的全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及缺陷检验，且更特定来说，本发明涉及缺陷的深度确定。

背景技术

半导体装置(例如(但不限于)3D存储器堆叠)包含多层膜堆叠，其可包含数十个或数百个膜层。此类多层膜堆叠易受任何膜层上的嵌入式缺陷影响且通常期望监测缺陷频率及缺陷发生深度两者。例如，缺陷深度数据可判断易受缺陷影响的特定制造步骤。然而，通常不便于及/或无法在沉积每一层之后检验多层样本。因此，通常可在沉积多个层或甚至整个膜堆叠之后检验多层样本的缺陷。

随着膜堆叠的数目增加，确定嵌入式缺陷的深度信息面临越来越多挑战。例如，通常可使用例如聚焦离子束(FIB)铣削的侵入式方法来准确确定多层堆叠中嵌入式缺陷的深度。然而，侵入式测量技术可能很耗时且仅可应用于代表性测试样本而非生产样本。因此，期望产生消除上述缺点的系统及方法。

发明内容

根据本发明的一或多个说明性实施例，揭示一种检验系统。在说明性实施例中，所述系统包含经配置以产生照明束的照明源。在另一说明性实施例中，所述系统包含用于导引所述照明束到样本的一或多个照明光学器件。在另一说明性实施例中，所述系统包含第一收集通道，其包含用于响应于所述照明束而从所述样本收集第一立体角范围内的光的至少第一检测器。在另一说明性实施例中，所述第一收集通道进一步包含用于控制从所述样本入射于所述第一检测器上的所述光的偏振的第一偏振器。在另一说明性实施例中，所述系统包含第二收集通道，其包含用于响应于来自所述照明源的所述照明而从所述样本收集第二立体角范围内的光的至少第二检测器。在另一说明性实施例中，所述第二收集通道进一步包含用于控制从所述样本入射于所述第二检测器上的所述光的偏振的第二偏振器。在另一说明性实施例中，所述系统包含控制器。在另一说明性实施例中，所述控制器接收两个或更多个散射信号，其中所述两个或更多个散射信号包含基于所述第一偏振器的一或多个定向的来自所述第一收集通道的一或多个散射信号及基于所述第二偏振器的一或多个定向的来自所述第二收集通道的一或多个散射信号。在另一说明性实施例中，所述控制器基于比较所述两个或更多个散射信号与训练数据来确定所述样本中一或多个缺陷的深度，其中所述训练数据包含来自具有已知深度处的已知缺陷的训练样本的散射信号。