[发明专利]分子筛SSZ-109的合成

权利要求书

1.一种合成具有SSZ-109结构的分子筛的方法，所述方法包括：

(a)提供反应混合物，所述反应混合物包含：

(1)氧化硅源；

(2)三价元素(X)的氧化物源，其中所述三价元素X包含硼和铝中的一种或多种；

(3)任选地，第1族或第2族的金属(M)源；

(4)包含N¹,N⁶-二异丙基-N¹,N¹,N⁶,N⁶-四甲基己烷-1,6-二铵阳离子的结构导向剂(Q)；

(5)氢氧根离子源；和

(6)水；以及

(b)使所述反应混合物经受足以形成所述分子筛晶体的结晶条件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应混合物具有如下摩尔比的组成：

。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应混合物具有如下摩尔比的组成：

。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述结晶条件包括125℃至200℃的温度。

5.一种分子筛，所述分子筛具有SSZ-109结构，并且在其合成后原样形式下，在其孔中包含N¹,N⁶-二异丙基-N¹,N¹,N⁶,N⁶-四甲基己烷-1,6-二铵阳离子，其中所述分子筛的SiO₂/X₂O₃的摩尔比至少为10，其中X是三价元素，其中所述三价元素X包含硼和铝中的一种或多种。

6.根据权利要求5所述的分子筛，其中SiO₂/X₂O₃的摩尔比在20至500的范围内。

7.根据权利要求5所述的分子筛，并在其合成后原样形式下具有包含以下峰的X射线衍射：

所提供的粉末X射线衍射图基于相对强度等级，其中X射线衍射图中最强谱线的指定值为100：W＝弱，即0至≤20；M＝中等，即20至≤40；S＝强，即40至≤60；VS＝非常强，即60至≤100；峰展宽的特征在于XRD峰的半高宽(FWHM)；基于FWHM值，峰被分类为：Sh＝尖锐，即≤1.5*最小FWHM；B＝宽，即1.5*最小FWHM。