[发明专利]X射线传感器、构造X射线传感器的方法以及包括这种X射线传感器的X射线成像系统

权利要求书

1.一种X射线传感器(1)，具有包括设置于所述X射线传感器(1)的表面区域(3)上的多个检测器二极管(2)的有源检测器区域，所述X射线传感器(1)还包括围绕包括所述多个检测器二极管(2)的所述表面区域(3)的结终端(4)，所述结终端(4)包括最靠近所述表面区域(3)的端部设置的防护件(5)、设置于所述防护件(5)外侧的场阑(6)以及设置于所述防护件(5)与所述场阑(6)之间的N个场限环FLR(7)，其中每个FLR(7)定位成使所述防护件(5)与第一FLR之间的距离以及不同FLR(7)之间的距离满足以下约束条件：

-这些距离位于有效区域内，所述有效区域由线α＝(10+1.3×(n-1))μm和β＝(5+1.05×(n-1))μm限定，和

-连续FLR(7)之间的距离是恒定的或随着n的增加而增加，其中n表示FLR(7)的指数，其中1≤n≤N。

2.根据权利要求1所述的X射线传感器，其中N个FLR(7)放置在距所述防护件(5)一定距离处，所述距离由公式给出，其中n表示特定FLR(7)的指数，Δ₁是所述防护件与最接近所述防护件5的所述第一FLR的中点位置之间的距离，δ表示长度参数，σ表示FLR的宽度，而X_n规定为防护环与指数为n的FLR(7)的中点位置之间的距离。

3.根据权利要求1或2所述的X射线传感器，其中长度参数δ选自区间[1.05μm，1.30μm]。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的X射线传感器，其中间隔距离Δ₁选自区间[5μm，10μm]。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的X射线传感器(1)，其中FLR的数量N选自区间1≤N≤10。

6.根据权利要求5所述的X射线传感器(1)，其中FLR的数量N选自区间3≤N≤8。

7.根据权利要求6所述的X射线传感器(1)，其中FLR的数量N由N＝6给出。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的X射线传感器(1)，其中防护环(5)与设置于所述表面区域(3)上的最近检测器二极管(2)之间的距离Δ_g选自区间10μm≤Δ_g≤100μm，优先选自选自区间20μm≤Δ_g≤40μm。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的X射线传感器(1)，其中防护环(5)的宽度ω选自区间20μm≤ω≤100μm，优选区间25μm≤ω≤55μm，并且更优选在区间45μm≤ω≤55μm内，并且还更优选在区间49μm≤ω≤51μm内。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的X射线传感器，其中所述有源检测器区域包括掺杂材料，所述掺杂材料具有区间1×10¹⁰cm^-3至1×10¹²cm^-3内的掺杂浓度。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的X射线传感器，其中所述有源检测器区域包含掺杂硅，所述掺杂硅具有与所述场限环相反的掺杂类型。