[发明专利]支持块体擦除操作的三维闪存器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维闪存器件，包括：

串，包括在一个方向上延伸的沟道层和相对于所述沟道层竖直堆叠的多个电极层；

上布线层，布置在所述串上；

至少一个中间布线层，在所述串的中间区域中穿过所述沟道层布置在所述多个电极层之间；

下布线层，布置在所述串下方；以及

至少一个连接件，布置在所述至少一个中间布线层中并且将至少两个沟道层彼此连接，所述至少两个沟道层被所述至少一个中间布线层划分。

2.根据权利要求1所述的三维闪存器件，其中，所述至少一个连接件包括N-层以及包围所述N-层并接触所述至少一个中间布线层的N+层。

3.根据权利要求1所述的三维闪存器件，其中，所述至少一个连接件包括被所述至少一个中间布线层包围并接触的N-层。

4.根据权利要求1所述的三维闪存器件，其中，所述至少一个连接件包括被所述至少一个中间布线层包围并接触的N+层。

5.根据权利要求1所述的三维闪存器件，其中，所述三维闪存器件是在包括P型块体和N+接触的衬底上制造的，并且在由所述至少一个连接件彼此连接的所述至少两个沟道层连接到所述块体时支持块体擦除操作。

6.根据权利要求1所述的三维闪存器件，其中，所述至少一个连接件包括：

在所述至少一个中间布线层下方沉积的N+层；以及

布置在N+层上并且被所述至少一个中间布线层包围和接触的N-层。

7.根据权利要求1所述的三维闪存器件，其中，所述至少一个连接件包括：

在所述至少一个中间布线层下方沉积的N+层；以及

被N+层和所述至少一个中间布线层两者包围并接触的N-层。

8.根据权利要求1所述的三维闪存器件，其中，所述上布线层、所述至少一个中间布线层和所述下布线层形成倒阶梯形状，各层的延伸长度彼此不同。

9.根据权利要求8所述的三维闪存器件，其中，所述上布线层、所述至少一个中间布线层和所述下布线层的相应延伸长度按照所述上布线层、所述至少一个中间布线层和所述下布线层的顺序减小。

10.根据权利要求8所述的三维闪存器件，其中，由于由所述上布线层、所述至少一个中间布线层和所述下布线层形成的倒阶梯形状，所述上布线层、所述至少一个中间布线层和所述下布线层分别连接到单个衬底上同一条线上的插塞。

11.根据权利要求1所述的三维闪存器件，其中，所述上布线层、所述至少一个中间布线层和所述下布线层中的每个层被适应性地用作漏电极和源电极之一。