[发明专利]在缓冲器上方形成的光电子器件

权利要求书

1.一种分层结构，其包括：

基板；

形成在该基板上的缓冲层；以及

形成在该缓冲层上方的光电子器件；

其中该光电子器件是变质外延形成的锑基光电子器件；且该缓冲层提供在该基板和该光电子器件之间的晶格常数过渡。

2.如权利要求1所述的分层结构，其中该缓冲层是直接在该基板上方外延形成的缓冲层。

3.如权利要求1所述的分层结构，其中该缓冲层包括多于一层。

4.如权利要求3所述的分层结构，其中该多于一层中的每一层都是外延生长的层。

5.如权利要求3所述的分层结构，其中该缓冲层包括：

形成在该基板上方的锗基层，其中该基板包括硅基基板；

形成在该锗基层上方的III-As层；以及

在该III-As层上方变质外延形成的III-Sb层。

6.如权利要求5所述的分层结构，其中该缓冲层包括：

直接形成在该基板上方的锗基层，其中该基板包括硅基基板；

直接形成在该锗基层上方的III-As层；以及

直接形成在该III-As层上方的III-Sb层。

7.如权利要求1所述的分层结构，其中该基板包括具有晶体学取向的硅晶片。

8.如权利要求7所述的分层结构，其中该晶体学取向是朝向111取的(100)表面错切。

9.如权利要求1所述的分层结构，其中该基板包括互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容电路，并且其中该光电子器件包括与该CMOS兼容电路电耦合的红外光探测器。

10.如权利要求1所述的分层结构，其中该光电子器件包括合金，该合金包括V族元素和III族元素。

11.如权利要求1所述的分层结构，其中该光电子器件包括由InAs_zSb_1-z、AlAs_zSb_1-z和GaAs_zSb_1-z组成的组的材料，其中z在0到1的范围内。

12.如权利要求1所述的分层结构，其中该光电子器件包括由In_xAl_yGa_1-x-yAs_zSb_1-z组成的组的材料，其中x、y、x+y和z在0到1的范围内。

13.如权利要求1所述的分层结构，其中该光电子器件包括红外光探测器，并且其中该缓冲层提供在该基板和该红外光探测器的锑基吸收层之间的晶格常数过渡。

14.一种制造分层结构的方法，该方法包括：

在基板上方形成缓冲层；以及

通过变质外延在该缓冲层上方形成光电子器件；

其中该光电子器件是锑基光电子器件；并且该缓冲层提供在该基板和该光电子器件之间的晶格常数过渡。

15.如权利要求14所述的方法，其中形成该缓冲层包括：

在该基板上方形成锗基层，其中该基板包括硅基基板；

在该锗基层上方形成III-As层；以及

在该III-As层上方形成III-Sb层。

16.如权利要求15所述的方法，其中形成该锗基层包括使用化学气相沉积(CVD)。

17.如权利要求15所述的方法，其中形成该III-As层包括使用分子束外延(MBE)。