[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电子器件，其为至少具有有机功能层和密封层的电子器件，其中，

所述密封层含有聚硅氮烷及其改性物，且在所述有机功能层和所述密封层之间，设置有含有光固化型或热固化型聚合物的中间层。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述光固化型或热固化型聚合物是无溶剂型的聚合物。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中，所述中间层含有硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂或环氧类树脂。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子器件，其中，所述中间层含有硅氧烷类树脂。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子器件，其中，所述中间层的所述密封层侧表面上具有改性层。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其中，

在23℃的温度下，所述改性层的所述密封层侧表面与水的接触角在20～100°的范围内。

7.根据权利要求5或6所述的电子器件，其中，所述改性层的层厚在1～70nm的范围内。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的电子器件，在所述中间层和密封层之间，设有含有有机金属氧化物的有机金属氧化物层，所述有机金属氧化物具有由以下通式(A)所示的结构，

通式(A)R-[M(OR₁)_y(O-)_x-y]_n-R

式中，R表示氢原子、碳原子数为1以上的烷基、烯基、芳基、环烷基、酰基、烷氧基或杂环基，其中，R任选为含有氟原子作为取代基的碳链，M表示金属原子，OR₁为氟代烷氧基，x表示金属原子的价数，y表示1～x之间的任意整数，n分别表示缩聚度。

9.根据权利要求8所述的电子器件，其中，所述M表示的金属原子选自Si、Ti、Zr、Mg、Ca、Sr、Bi、Hf、Nb、Zn、Al、Pt、Ag及Au。

10.根据权利要求8或9所述的电子器件，其中，所述有机金属氧化物层至少包含通过溶胶-凝胶转移而形成的涂膜。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的电子器件，其中，所述密封层上进一步经由粘合剂贴合有阻气膜。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的电子器件，其中，所述电子器件是有机电致发光元件、使用了有机光电转换元件的太阳能电池、或有机薄膜晶体管。

13.一种电子器件的制造方法，其为制造权利要求1～11中任一项所述的电子器件的方法，其包括：

在有机功能层上形成所述中间层的工序；

对所述中间层进行紫外线照射处理、快速烧成处理、大气压等离子体处理、等离子体离子注入处理或加热处理的工序；以及

在所述中间层上叠层形成所述密封层的工序。

14.根据权利要求13所述的电子器件的制造方法，其中，

通过对所述中间层进行紫外线照射处理、快速烧成处理、大气压等离子体处理、等离子体离子注入处理或加热处理的工序，在所述中间层表面上形成改性层，且在23℃的温度下所述改性层表面与水的接触角设为20～100°的范围内。

15.根据权利要求13或14所述的电子器件的制造方法，其中，所述中间层通过喷墨印刷法形成。

16.根据权利要求13～15中任一项所述的电子器件的制造方法，其中，所述密封层通过喷墨印刷法形成，然后进行真空紫外线照射处理。