[发明专利]电可调表面声波谐振器在审
申请号: | 201980035937.3 | 申请日: | 2019-06-05 |
公开(公告)号: | CN112204879A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | S·马克曼;G·冯萨利斯 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/145;H03H9/25 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 姚杰 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可调 表面 声波 谐振器 | ||
1.一种表面声波(SAW)谐振器器件,包括:
基底,所述基底支撑:可选通导电层;叉指式换能器或IDT;反射器光栅,所述反射器光栅包括多个电分离的指状体;主欧姆接触;以及栅极元件,
其中
所述IDT被配置为可连接至地,
所述导电层被配置为通过所述主欧姆接触可连接到所述地,而所述指状体中的每一个电连接至所述导电层的横向侧,以便限定从所述指状体通过所述导电层和所述主欧姆接触延伸到地的可选通沟道,并且
所述栅极元件与所述导电层电绝缘并且进一步被配置为在所述器件的操作中允许通过相对于所述地向所述栅极元件施加电压偏压来连续地调节所述可选通沟道的电阻抗。
2.根据权利要求1所述的器件,其中,
所述导电层、所述反射器光栅和所述栅极元件单片集成于所述器件中。
3.根据权利要求1所述的器件,其中,
所述器件进一步包括支撑在所述基底上的多个侧欧姆接触,并且
所述反射器光栅的每个指状体通过所述侧欧姆接触中相应的一个侧欧姆接触连接到所述导电层的横向侧。
4.根据权利要求3所述的器件,进一步包括:
势垒,在所述导电层与所述栅极元件之间延伸,使得所述导电层在所述基底与所述势垒之间延伸,以使所述栅极元件与所述导电层电绝缘。
5.根据权利要求4所述的器件,其中,
所述势垒包括基础层和绝缘层二者,所述绝缘层被图案化在所述基础层上,以便在所述基础层和所述栅极元件之间延伸。
6.根据权利要求4所述的器件,其中,
所述侧欧姆接触和所述主欧姆接触中的每一个延伸通过所述势垒向下到达所述导电层。
7.根据权利要求6所述的器件,其中,
所述主欧姆接触和所述侧欧姆接触各自包括在所述势垒上方突出的尖端,由此所述势垒在所述欧姆接触的突出尖端与所述导电层之间延伸。
8.根据权利要求7所述的器件,其中,
所述势垒和所述导电层在所述基底上一起形成台面,并且
所述反射器光栅的每个指状体包括沿着所述台面的横向侧延伸的平面外部分,所述平面外部分导致接触部分接触所述侧欧姆接触中的相应一个。
9.根据权利要求8所述的器件,其中,
所述IDT包括两组叉指型电极,其中,所述组中的一组的电极各自包括沿着所述台面的横向侧延伸的平面外部分,所述平面外部分通向接触所述主欧姆接触的接触部分。
10.根据权利要求1所述的器件,其中,
所述基底包括压电材料。
11.根据权利要求1所述的器件,其中,
所述基底包括支撑一个或多个压电材料部分的非压电材料,所述压电材料部分支撑所述IDT的所述指状体和元件。
12.根据权利要求3所述的SAW谐振器器件,其中,
所述多个电分离的指状体被布置在两组指状体中,其中所述两组指状体在所述基底上的所述IDT的相对侧上延伸。
13.根据权利要求12所述的器件,其中,
所述指状体中的每个通过所述侧欧姆接触中的一个对应侧欧姆接触电连接至所述导电层的同一横向侧,并且所述IDT被安排成与所述同一横向侧相对。
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