[发明专利]利用H2等离子体的可流动膜固化

权利要求书

1.一种处理基板的方法，包含：

等离子体处理非晶硅层，包含：

使实质上无硅的氢处理气体流入处理腔室的处理容积中，所述处理容积中具有设置在基板支撑件上的基板；

形成所述实质上无硅的氢处理气体的处理等离子体；和

将基板的表面上沉积有所述非晶硅层的所述基板暴露于所述处理等离子体，其中使用FCVD工艺沉积所述非晶硅层，所述FCVD工艺包含：

将所述基板定位在所述基板支撑件上；

使处理气体流入所述处理容积中；

形成所述处理气体的沉积等离子体；

将所述基板的所述表面暴露于所述沉积等离子体；和

在所述基板的所述表面上沉积所述非晶硅层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述处理等离子体是通过将所述实质上无硅的处理气体与电极在基板表面区域的约0.10W/cm²与约1W/cm²之间的RF功率下电容耦合来形成的。

3.如权利要求1所述的方法，其中等离子体处理所述非晶硅层包含将所述处理容积保持在约1毫托与约2托之间的压力下。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述氢处理气体实质上无硅且实质上无氧。

5.如权利要求1所述的方法，其中处理所述基板进一步包含将所述基板保持在约-100℃与约100℃之间的温度。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述实质上无硅的氢处理气体包含H₂和惰性气体。

7.如权利要求1所述的方法，其中等离子体处理所述非晶硅层包含将所述基板暴露于所述处理等离子体长达大于约10秒。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述处理气体包含选自由以下组成的群组中的一种或多种硅前驱物：硅烷(SiH₄)、乙硅烷(Si₂H₆)、丙硅烷(Si₃H₈)和四硅烷(Si₄H₁₀)、新五硅烷(NPS)和环六硅烷。

9.如权利要求6所述的方法，其中H₂与惰性气体的比率介于约1:10与约5:1之间。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述惰性气体是Ar。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述处理气体是实质上无氮和实质上无氧中的一种或两种。

12.一种处理基板的方法，包含：

将所述基板保持在约-100℃与约100℃之间的温度；

沉积非晶硅层，包含：

将所述基板定位在处理容积中设置的基板支撑件上；

使处理气体流入所述处理容积中，其中所述处理气体实质上无氧且实质上无氮；

通过将所述处理气体与电极在小于约300W的RF或其他交流频率功率下电容耦合来形成所述处理气体的沉积等离子体；

将所述基板的所述表面暴露于所述沉积等离子体；和

在所述基板的表面上沉积所述非晶硅层；和

等离子体处理所述非晶硅层，包含：

使处理气体流入所述处理容积中，其中所述处理气体包含H₂和惰性气体，两者比率介于约1:10与约5:1之间，并且其中所述处理气体实质上无硅且实质上无氧；

通过将所述处理气体与电极在约100W与约500W之间的RF功率下电容耦合来形成所述处理气体的处理等离子体；和

将所述非晶硅层暴露于所述处理等离子体长达大于约10秒的持续时间。