[发明专利]电容式测量中补偿温度影响的方法在审

专利信息
申请号: 201980034306.X 申请日: 2019-05-23
公开(公告)号: CN112154304A 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: B·安蒂;H·吉伦斯;C·乌里格;C·文德;L·希尔莱;D·J·托马斯;J·利普塔克 申请(专利权)人: IEE国际电子工程股份公司
主分类号: G01D5/24 分类号: G01D5/24;G01D18/00;G01D3/032
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘瑜
地址: 卢森堡埃*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电容 测量 补偿 温度 影响 方法
【权利要求书】:

1.一种操作用于温度影响的补偿的电容式测量系统(10)的方法,所述电容式测量系统(10)包括处于安装状态的至少一个电容式传感器构件(12)以及电容式测量电路(14),所述电容式测量电路(14)被配置用于根据通过所述至少一个电容式传感器构件(12)的复感测电流确定未知电容的复阻抗,所述方法至少包括以下步骤:

-通过以下方式执行校准测量:

-在多个不同的温度下确定(50)多个复阻抗,在每个温度下确定至少一个复阻抗,其中,所述多个不同的温度的范围包括参考温度(Tref),并且

-确定(52)所确定的阻抗的实部和虚部两者的温度特性(42、44);

-在当前温度(Tcurr)下执行(56)所述未知电容的阻抗测量,并确定(58)所测量的阻抗的所述实部和所述虚部;

-基于在所述当前温度(Tcurr)下确定的所述实部以及所述实部和所述虚部两者的所确定的温度特性(42、44),校正(60)在所述当前温度(Tcurr)下确定的所述阻抗的所述虚部。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,校正(60)所确定的虚部的步骤包括:根据在所述当前温度(Tcurr)下确定的所述阻抗的所述实部和所述实部的所确定的温度特性(42)获得当前温度(Tcurr),并且使用所获得的当前温度(Tcurr)和所确定的虚部温度特性(44)来确定用于所述虚部的校正量。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,校正(60)所确定的阻抗的所确定的虚部的步骤是根据线性传递函数来执行的:

Yref=Ycurr+Xcurr·a1+a0

其中,Yref表示与所述参考温度Tref相关的所述阻抗的所校正的虚部,Ycurr表示在所述当前温度Tcurr下确定的所述阻抗的未校正的虚部,Xcurr表示在所述当前温度Tcurr下确定的所述阻抗的所述实部,并且a0和a1是通过执行所述校准测量的步骤(50、52)获得的常数数值。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,确定(52)所述温度特性(42、44)的步骤包括:在所确定的阻抗的所述实部上应用拟合过程并且在所确定的阻抗的所述虚部上应用拟合过程,以获得用于描述所述相应的温度特性(42、44)的闭公式。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,通过所述拟合过程获得的所述闭公式被形成为所述温度的多项式。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,确定(52)所述温度特性(42、44)的步骤包括:将所述多个不同的温度的范围划分为多个间隔,并针对所述划分的每个间隔计算所述温度特性(42、44)的斜率,并且其中,校正(60)的步骤基于所述当前温度(Tcurr)和所述参考温度(Tref)之间的所述间隔的斜率以及这些间隔的宽度。

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