[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种掩模坯料，其在透光性基板上具备相移膜，

所述相移膜包含从所述透光性基板侧起依次层叠有第1层及第2层的结构，

所述第1层与所述透光性基板的表面相接地设置，

将所述第1层及所述第2层在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射分别设为n₁、n₂时，满足n₁＜n₂的关系，

将所述第1层及所述第2层在所述曝光光的波长下的消光系数分别设为k₁、k₂时，满足k₁＜k₂的关系，

将所述第1层及所述第2层的膜厚分别设为d₁、d₂时，满足d₁＜d₂的关系。

2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，

所述第1层的折射率n₁为1.8以上，所述第1层的消光系数k₁为0.15以下。

3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

所述第2层的折射率n₂为2.2以上，所述第2层的消光系数k₂为0.2以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的掩模坯料，其中，

将所述透光性基板在所述曝光光的波长下的折射率设为n_S时，满足n_S＜n₁＜n₂的关系，

将所述透光性基板在所述曝光光的波长下的消光系数设为k_S时，满足k_S＜k₁＜k₂的关系。

5.根据权利要求4所述的掩模坯料，其中，

所述透光性基板的折射率n_S为1.6以下，所述透光性基板的消光系数k_S为0.01以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述相移膜具有下述功能：

使所述曝光光以15％以上的透射率透过的功能、和

使透过所述相移膜后的所述曝光光和仅在与所述相移膜的厚度相同距离的空气中通过后的所述曝光光之间产生150度以上且200度以下的相位差的功能。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述第1层由含有硅、氮及氧的材料形成、或者由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素、硅、氮及氧的材料形成，

所述第2层由含有硅和氮的材料形成、或者由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素、硅及氮的材料形成。

8.根据权利要求7所述的掩模坯料，其中，

所述第2层的氮的含量比所述第1层的氮的含量多。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述相移膜在所述第2层上具备第3层，

将所述第3层在所述曝光光的波长下的折射率设为n₃时，满足n₃＜n₁＜n₂的关系，

将所述第3层在所述曝光光的波长下的消光系数设为k₃时，满足k₁＜k₂＜k₃的关系。

10.根据权利要求9所述的掩模坯料，其中，

将所述第3层的膜厚设为d₃时，满足d₃＜d₁＜d₂的关系。