[发明专利]光检测器

权利要求书

1.一种光检测器，具备光电二极管和齐纳二极管，所述光检测器的特征在于，

所述光电二极管具备阳极电极和阴极电极，

所述齐纳二极管具备：

硅基板；

所述硅基板上的下部包覆层；

所述下部包覆层上的硅芯层，包含掺杂了第一型杂质离子的第一型硅区域和掺杂了第二型杂质离子的第二型硅区域；

所述硅芯层上的锗层；

所述锗层上的上部包覆层；以及

阳极电极和阴极电极，分别连接于所述第一型硅区域和所述第二型硅区域中的任一个，

所述齐纳二极管的阳极电极与所述光电二极管的阳极电极连接，

所述齐纳二极管的阴极电极与所述光电二极管的阴极电极连接。

2.根据权利要求1所述的光检测器，其特征在于，

在所述齐纳二极管中，

所述第二型硅区域处于所述锗层的正下方，

本征硅区域处于所述锗层的底面与所述第一型硅区域之间，

所述本征硅区域处于所述第一型硅区域与所述第二型硅区域之间。

3.根据权利要求1或2所述的光检测器，其特征在于，

所述光电二极管具备：

硅基板；

所述硅基板上的下部包覆层；

所述下部包覆层上的硅芯层，包含掺杂了第一型杂质离子的第一型硅板；

硅波导层，连接于所述硅芯层；

所述硅芯层上的锗层，包含掺杂了第二型杂质的第二型锗区域；

所述硅芯层和所述锗层上的上部包覆层；以及

电极，分别连接于所述第一型硅板和所述第二型锗区域。

4.根据权利要求3所述的光检测器，其特征在于，

共用所述光电二极管和所述齐纳二极管所具备的硅基板、下部包覆层、硅芯层、上部包覆层。

5.根据权利要求4所述的光检测器，其特征在于，

所述光电二极管和所述齐纳二极管排列在穿过所述光电二极管所具备的所述硅波导层的光的入射方向上。

6.根据权利要求4所述的光检测器，其特征在于，

所述光电二极管和所述齐纳二极管排列在与穿过所述光电二极管所具备的所述硅波导层的光的入射方向垂直的方向上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光检测器，其特征在于，

在所述光电二极管连接有多个所述齐纳二极管。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的光检测器，其特征在于，

所述第一型杂质离子是p型杂质离子，所述第二型杂质离子是n型杂质离子。