[发明专利]流体控制设备、流体控制设备的异常检测方法、异常检测装置以及异常检测系统在审
申请号: | 201980032117.9 | 申请日: | 2019-07-16 |
公开(公告)号: | CN112119291A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 丹野龙太郎;篠原努;铃木裕也;木曾秀则 | 申请(专利权)人: | 株式会社富士金 |
主分类号: | G01M3/26 | 分类号: | G01M3/26;F16K37/00 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 张黎;龚敏 |
地址: | 日本国大阪府大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流体 控制 设备 异常 检测 方法 装置 以及 系统 | ||
在流体控制设备中,即使在流体的漏出微小的情况下也能够检测漏出。另外,将流体的漏出异常识别为伴随流体控制设备的动作的变化,以高精度检测流体的漏出。能够检测异常的流体控制设备(V1)设置有流路和通过隔膜(22)与流路隔离的封闭空间(S2),具有检测封闭空间(S1)内的压力的压力传感器(P)、执行给定的信息处理的处理模块以及检测流体控制设备(V1)的动作的动作检测机构,处理模块执行如下处理:通过对由压力传感器(P)检测出的检测值与给定的阈值进行比较来判别流体控制设备(V1)的异常的判别处理、以及根据流体控制设备(V1)的动作来校正给定的阈值的校正处理。
技术领域
本发明涉及在流体控制装置中检测流体的漏出的技术。
背景技术
以往,在半导体晶圆的表面形成薄膜的成膜处理中,要求膜厚的细微的控制,近年来,使用了以原子级或分子级的厚度形成薄膜的ALD(Atomic Layer Deposition:原子层沉积)这样的成膜方法。
但是,这样的成膜处理对向成膜装置供给流体的流体控制设备要求比迄今为止更高的高频度的开闭动作,有时会由于其负荷而容易引起流体的漏出等。故而,对能够容易地检测流体控制设备中的流体的漏出的技术的要求变高。
另外,在半导体制造工艺中使用反应性高、毒性极高的气体,因此重要的是能够在漏出微小的情况下且能够远程地检测出漏出。
在这方面,在专利文献1中,提出了一种由形成于对流体的流量进行控制的控制器的外表面的孔和安装于该孔的泄漏检测构件构成的密封部破损检测机构,所述孔与控制器内的空隙连通,所述泄漏检测构件由安装于所述孔的筒状体和设置于该筒状体的可动构件构成,该可动构件基于在控制器内的所述空隙内充满的漏出流体的压力而能向所述筒状体的外侧移动。
另外,在专利文献2中,提出了一种由形成于对流体的流量进行控制的控制器的外表面的孔和安装于该孔的泄漏检测构件构成的带密封部破损检测机构的控制器,所述孔与控制器内的空隙连通,所述泄漏检测构件根据特定的流体的存在而感应。
另外,在专利文献3中,提出了一种检测流体的泄漏的泄漏检测装置,其具备:传感器保持体;超声波传感器,其设置于泄漏检测对象部件并以与将泄漏检测对象部件内的密封部分和外部进行连通的泄漏端口对置的方式保持于传感器保持体;超声波通道,其设置于超声波传感器的传感器面与泄漏端口之间;以及处理电路,其对利用超声波传感器得到的超声波进行处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平04-093736号公报
专利文献2:日本特开平05-126669号公报
专利文献3:日本特开2014-21029号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是,在专利文献1记载的密封部破损检测机构中,虽然能够判别控制器内的空隙的加压,但是无法判别负压,在流体的漏出微小的情况下,可动构件不能充分地移动,可能无法检测漏出。
另外,在专利文献2记载的带密封部破损检测机构的控制器中,在流体的漏出微小的情况下,被净化气体稀释化而泄漏检测构件可能不进行感应,另外,泄漏检测构件对给定的流体也可能不进行感应。
而且,在专利文献3记载的泄漏检测装置中,在流体的漏出微小的情况下,超声波微弱也可能无法检测漏出。
在其他的专利文献记载的技术中,也同样地,对流体的微小的漏出的检测能力存在改善的余地。另外,若无法将流体的漏出异常识别为伴随流体控制设备的动作的变化,则难以高精度地检测流体的漏出。
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