[发明专利]化学机械平坦化垫的修整器及其相关方法

权利要求书

1.一种垫修整器，其用于修整化学机械处理CMP垫，所述垫修整器包括具有平坦平台表面及从所述平坦平台表面延伸的多个高密度碳化硅突部的研磨表面，所述突部具有高精度形状。

2.根据权利要求1所述的垫修整器，其中所述高密度碳化硅具有小于5％的孔隙率。

3.根据权利要求1或2所述的垫修整器，其中每一突部包含在垂直方向上在所述平台表面与所述突部的最远表面之间延伸的高度，其中所述突部的高度在从20微米到100微米的范围中且所述研磨表面的突部的样本的所述高度的标准偏差小于5。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的垫修整器，其中每一突部包含在从10微米到200微米的范围中的基底宽度且所述研磨表面的突部的样本的所述基底宽度的标准偏差小于7微米。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的垫修整器，其中突部的图案化布置的突部之间的间隔在从1,000微米到10,000微米的范围中且所述研磨表面的间隔的标准偏差小于5微米。

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的垫修整器，其中所述突部包含尖端及相对于所述平台表面倾斜的侧壁，且其中所述侧壁相对于所述平台表面的角度在从30度到70度的范围中且所述侧壁的所述角度的标准偏差小于5度。

7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的垫修整器，其中所述突部是锥形的。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的垫修整器，其中所述突部通过激光切割形成。

9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的垫修整器，其中所述研磨表面进一步包括沉积于所述平台表面上方的金刚石涂层及多个高密度碳化硅突部。

10.根据权利要求9所述的垫修整器，其中所述金刚石涂层是通过化学汽相沉积进行沉积。

11.一种在碳化硅本体上形成研磨表面的方法，所述方法包括：从具有高密度碳化硅表面的碳化硅块，从所述表面移除高密度碳化硅以产生从平坦平台表面延伸的多个高密度碳化硅突部，所述突部具有高精度形状。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述高密度碳化硅通过使用激光束从所述表面激光切割所述高密度碳化硅以留下从所述平台表面延伸的所述突部而从所述表面移除。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其进一步包括将金刚石涂层沉积到所述突部及平坦平台表面上。

14.根据权利要求11到13中任一权利要求所述的方法，其中所述金刚石涂层通过化学气相沉积沉积。

15.根据权利要求11到14中任一权利要求所述的方法，其中所述高密度碳化硅具有小于5％的孔隙率。

16.根据权利要求11到15中任一权利要求所述的方法，其中每一突部包含在垂直方向上在所述平台表面与所述突部的最远表面之间延伸的高度，其中所述突部的高度在从20微米到100微米的范围中且所述研磨表面的突部的样本的所述高度的标准偏差小于5。

17.根据权利要求11到16中任一权利要求所述的方法，其中每一突部包含在从10微米到200微米的范围中的基底宽度且所述研磨表面的突部的样本的所述基底宽度的标准偏差小于7微米。

18.根据权利要求11到17中任一权利要求所述的方法，其中突部的图案化布置的突部之间的间隔在从1,000微米到10,000微米的范围中且所述研磨表面的间隔的标准偏差小于5微米。