[发明专利]残留物去除

权利要求书

1.一种用于从基板去除残留物的方法，包括：

执行选择性沉积工艺以在基板的第一位置处形成含金属的介电材料；以及

执行残留物去除工艺以从所述基板的第二位置去除残留物。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述残留物去除工艺为化学机械研磨工艺。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述残留物去除工艺进一步包括：

执行蚀刻工艺。

4.如权利要求3所述的方法，其中执行蚀刻工艺进一步包括：

将蚀刻气体混合物供应至所述基板的表面上，其中所述蚀刻气体混合物包括至少含卤素气体。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述含卤素气体选自由以下各者组成的群组：BCl₃、Cl₂、NF₃、CF₄、HCl、HBr、Br₂及其组合。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述蚀刻气体混合物包括BCl₃、Cl₂或NF₃。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述残留物具有小于30nm但大于2nm的直径。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述残留物去除工艺之后执行CMP工艺。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属的介电材料和所述残留物包括相同材料。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属的介电层为具有大于12的介电常数的高介电常数材料。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属的介电层由选自由以下各者所组成的群组的材料制造：含铪氧化物(HfO_x)、AlN、WSiO₂、WSi、AlON、TiN、TaN、TiON、TaON、氧化锆(ZrO_x)、氧化钛(TiO_x)、氧化钽(TaO_x)、氧化铌(NbO_x)、氧化铁(FeO_x)、氧化钇(YO_x)及氧化铝(AlO_x)。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述含金属的介电材料和所述残留物均为含铪氧化物。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述基板的所述第一区域包括覆盖层。

14.如权利要求13所述的方法，其中覆盖层是选自由以下各者组成的群组：钌(Ru)、钴(Co)及钨(W)。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述基板的所述第二区域包括介电材料。