[发明专利]用于CVD腔室的气体箱

权利要求书

1.一种设备，包括：

盖和腔室主体，在所述盖和所述腔室主体中限定工艺空间，所述盖具有穿过所述盖形成的端口；

气体馈送管，所述气体馈送管具有第一端和第二端，在所述第一端处的开口与所述端口流体连通；

第一多个导管，所述第一多个导管具有基本上相等的流导率，所述第一多个导管与所述气体馈送管流体连通，所述第一多个导管中的每个导管终止于第一多个出口中的一个出口处；

第二多个导管，所述第二多个导管具有基本上相等的流导率，所述第二多个导管中的每个导管与所述第一多个出口中的一个出口流体连通，所述第二多个导管中的每个导管终止于第二多个出口中的一个出口处；以及

气室主体，在所述气室主体中限定环形气室，所述气室主体具有在所述气室主体中形成的多个入口端口，所述第二多个出口中的每个出口与所述多个入口端口中的至少一个入口端口流体连通，所述多个入口端口围绕所述气室主体的中心轴等距隔开，所述气体馈送管具有与所述环形气室流体连通的至少一个孔。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述至少一个孔是连续的环形开口。

3.如权利要求1所述的设备，其中所述至少一个孔包括围绕所述中心轴的多个径向分配的开口。

4.如权利要求1所述的设备，进一步包括：

喷头，所述喷头设置在所述工艺空间与在所述气体馈送管的所述第一端处的所述开口之间，所述喷头具有穿过所述喷头形成的多个通道，所述多个通道与所述气体馈送管和所述工艺空间流体连通。

5.如权利要求1所述的设备，其中所述第二多个出口围绕所述气室主体的所述中心轴等距隔开。

6.一种设备，包括：

盖和腔室主体，在所述盖和所述腔室主体中限定工艺空间，所述盖具有穿过所述盖形成的端口；

气体馈送管，所述气体馈送管具有第一端和第二端，在所述第一端处的开口与所述端口流体连通；

第一气室主体，在所述第一气室主体中限定第一气室，所述第一气室主体具有与所述气体馈送管流体连通的第一入口，所述第一气室主体具有至少第一出口和第二出口，所述至少第一出口和第二出口各自具有基本上相等的流导率；

第二气室主体，在所述第二气室主体中限定第二气室，所述第二气室主体具有至少第二入口和第三入口，所述第二入口和所述第三入口与所述至少第一出口和第二出口流体连通，所述第二气室主体具有至少第三出口、第四出口、第五出口和第六出口，所述至少第三出口、第四出口、第五出口和第六出口各自具有基本上相等的流导率；以及

第三气室主体，在所述第三气室主体中限定环形气室，所述第三气室主体具有在所述第三气室主体中形成的多个入口端口，所述多个入口端口围绕所述第三气室主体的中心轴等距隔开并且与所述第三出口、所述第四出口、所述第五出口和所述第六出口中的至少一个出口流体连通，所述气体馈送管具有与所述环形气室流体连通的至少一个孔。

7.如权利要求6所述的设备，其中所述至少一个孔是连续的环形开口。

8.如权利要求6所述的设备，其中所述至少一个孔包括围绕所述中心轴的多个径向分配的开口。

9.如权利要求6所述的设备，进一步包括：

喷头，所述喷头设置在所述工艺空间与在所述气体馈送管的所述第一端处的所述开口之间，所述喷头具有穿过所述喷头形成的多个通道，所述多个通道与所述气体馈送管和所述工艺空间流体连通。

10.如权利要求6所述的设备，其中所述环形气室的容积小于所述第一气室和所述第二气室中的每个气室的容积。