[发明专利]电荷泵电路装置在审
| 申请号: | 201980031188.7 | 申请日: | 2019-04-05 |
| 公开(公告)号: | CN112470383A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
| 发明(设计)人: | 内纳德·利利奇;罗伯特·卡佩尔;格奥尔格·勒雷尔 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;H01L27/02;G05F3/20;G11C5/14;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/92;H01L29/94 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
| 地址: | 奥地利普*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电荷 电路 装置 | ||
1.一种电荷泵电路装置,包括:
-多个电容器(110、111、112、113),其包括第一组电容器(110、112)和第二组电容器(111、113);
-所述第一组电容器耦接到第一时钟信号(CLK1)的端子,并且所述第二组电容器耦接到第二时钟信号(CLK2)的端子,所述第一时钟信号和第二时钟信号具有不重叠的时钟脉冲;
-开关(115、116),其将所述电容器中的一个连接到所述电容器中的另一个;
-所述电容器中的每一个包括半导体衬底(201),所述半导体衬底包括第一导电类型的深阱掺杂区(202)和与所述第一导电类型的深阱掺杂区(202)相邻设置的第二导电类型的阱掺杂区(203),所述电容器的一部分设置在所述半导体衬底(203)中;
-所述第一组电容器(110、112)的深阱掺杂区(202)通过与所述第一时钟信号(CLK1)同相的第一控制信号(CTRL1)控制,并且所述第二组电容器(111、113)的深阱掺杂区通过与所述第二时钟信号(CLK2)同相的第二控制信号(CTRL2)控制。
2.根据权利要求1所述的电荷泵电路装置,其中,所述第一控制信号和第二控制信号(CTRL1、CTRL2)从节点(322)以及另一节点(323)供应,所述节点(322)耦接到所述第一组电容器(112)之一的另一部分,所述另一节点(323)耦接到所述第二组电容器(113)之一的另一部分。
3.根据权利要求2所述的电荷泵电路装置,其中,所述节点(322)和所述另一节点(323)连接到相邻的电容器的另一电容器部分,所述相邻的电容器连接到开关(324、325)之一。
4.根据权利要求3所述的电荷泵电路装置,其中,所述电容器设置成序列,所述序列包括连接到电源电压(VDD)的端子的第一电容器(110)以及连接到输出电压(VOUT)的端子的最后一个电容器(113),所述输出电压具有高于电源电压(VDD)的电压,其中,所述另一节点(323)耦接到所述最后一个电容器(113),并且所述节点(322)耦接到通过所述开关之一与所述最后一个电容器连接的电容器(112)。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电荷泵电路装置,其中,所述第一组电容器的深阱掺杂区(202)耦接到开关电路(324),所述开关电路通过所述第一时钟信号(CLK1)控制并连接到所述电容器序列的相邻的电容器(112、113),并且所述第二组电容器的深阱掺杂区(202)耦接到另一开关电路(325),所述另一开关电路通过所述第二时钟信号(CLK2)控制并连接到所述相邻的电容器(112、113)。
6.根据权利要求5所述的电荷泵电路装置,其中,所述开关电路(324)和所述另一开关电路(325)分别包括:
-所述第一时钟信号和第二时钟信号(CLK1、CLK2)之一的端子(418),
-互补MOS晶体管(410、411)的串联连接,所述互补MOS晶体管连接到所述第一组电容器(112)之一和所述第二组电容器(113)之一。
7.根据权利要求6所述的电荷泵电路装置,其中,所述开关电路(324)和所述另一开关电路(325)分别还包括:
-反相器(417),其连接到所述第一时钟信号和第二时钟信号之一的端子(418);
-第一开关晶体管(413),其连接到所述互补MOS晶体管之一和所述互补MOS晶体管(410、411)的栅极端子;以及第二开关晶体管(414),其连接到所述互补MOS晶体管(410、411)之一和所述第一开关晶体管(413)的栅极端子;
-自举电容器(416),其连接到所述第一时钟信号和第二时钟信号之一的端子(418)并且连接到所述第二开关晶体管(414)的栅极端子;
-另一自举电容器(415),其连接到所述反相器(417)的输出并且连接到所述第一开关晶体管(413)的栅极端子。
8.根据权利要求5所述的电荷泵电路装置,其中,所述相邻的电容器之一连接到高于电源电压(VDD)的输出电压(VOUT)的端子。
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