[发明专利]用于离子植入系统的四氟化锗与氢气的混合物

权利要求书

1.一种用于在离子植入腔室中提供包含四氟化锗(GeF₄)与氢(H₂)气体的气体混合物的气体供应总成，其包含：

一或多个包含GeF₄和H₂的流体供应包装，其中所述总成经配置以在离子植入腔室中提供包含GeF₄与H₂的气体混合物，其中H₂以所述气体混合物的25％到67％(体积)范围内的量存在，或GeF₄和H₂以3:1到33:67范围内的体积比(GeF₄:H₂)存在。

2.根据权利要求1所述的气体供应总成，其中H₂以所述气体混合物的37％到67％范围内的量存在，或GeF₄和H₂以63:37到33:67范围内的体积比(GeF₄:H₂)存在。

3.根据权利要求1所述的气体供应总成，其中H₂以所述气体混合物的42％到62％范围内的量存在，或GeF₄和H₂以29:21到19:31范围内的体积比(GeF₄:H₂)存在。

4.根据权利要求1所述的气体供应总成，其中H₂以所述气体混合物的45％到59％范围内的量存在，或GeF₄和H₂以11:9到41:59范围内的体积比(GeF₄:H₂)存在。

5.根据权利要求1所述的气体供应总成，其中H₂以所述气体混合物的47％到57％范围内的量存在，或GeF₄和H₂以53:47到43:57范围内的体积比(GeF₄:H₂)存在。

6.根据权利要求1所述的气体供应总成，其中H₂以所述气体混合物的49％到55％范围内的量存在，或GeF₄和H₂以51:49到9:11范围内的体积比(GeF₄:H₂)存在。

7.根据权利要求1所述的气体供应总成，其中H₂以所述气体混合物的51％到53％范围内的量存在，或GeF₄和H₂以49:51到47:53范围内的体积比(GeF₄:H₂)存在。

8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的气体供应总成，其中所述气体基本上由GeF₄和H₂组成。

9.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的气体供应总成，其进一步包含选自由以下组成的群组的惰性气体：氩气、氦气、氖气、氮气、氙气和氪气。

10.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的气体供应总成，其中GeF₄和H₂混合于单一流体供应包装中。

11.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的气体供应总成，其中GeF₄存在于含GeF₄的气体供应包装中且H₂存在于单独的含H₂的气体供应包装中。

12.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的气体供应总成，其中GeF₄未经同位素富集。

13.一种将锗植入于衬底中的方法，其包含将

四氟化锗(GeF₄)和氢(H₂)气体引入到离子植入腔室中，其包含，其中引入在离子植入腔室中提供包含GeF₄与H₂的气体混合物，其中H₂以25％到67％范围内的量存在，或GeF₄和H₂以3:1到33:67范围内的体积比(GeF₄:H₂)存在。