[发明专利]具有控制器的DC-DC电压转换器

权利要求书

1.一种包括DC-DC电压转换器的系统，所述DC-DC电压转换器包括：

高侧场效晶体管FET，其包括栅极、源极及漏极；

节点，其耦合到所述高侧FET的所述源极；

低侧FET，其包括栅极、源极及耦合到所述节点的漏极；及

控制器，其耦合到所述高侧FET的所述栅极以接通及关断所述高侧FET，且耦合到所述低侧FET的所述栅极以接通及关断所述低侧FET，所述控制器经配置以在接通所述高侧FET之前先接通所述低侧FET达一定时间间隔，并在接通所述高侧FET之前关断所述低侧FET。

2.根据权利要求1所述的系统，当所述控制器经配置以在接通所述高侧FET之前先接通所述低侧FET达一定时间间隔并在接通所述高侧FET之前关断所述低侧FET时，所述控制器进一步经配置以使所述DC-DC电压转换器在异步模式中操作。

3.根据权利要求2所述的系统，其进一步包括：

电感器，其耦合到所述节点。

4.根据权利要求3所述的系统，其进一步包括：

电源，其耦合到所述高侧FET的所述漏极。

5.根据权利要求4所述的系统，其进一步包括：

接地，其耦合到所述低侧FET的所述源极。

6.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括：

电感器，其耦合到所述节点。

7.根据权利要求6所述的系统，其进一步包括：

电源，其耦合到所述高侧FET的所述漏极。

8.根据权利要求7所述的系统，其进一步包括：

接地，其耦合到所述低侧FET的所述源极。

9.根据权利要求1所述的系统，所述DC-DC转换器进一步包括：

栅极驱动器，其耦合到所述高侧FET的所述栅极且耦合到所述低侧FET的所述栅极，所述控制器耦合到所述栅极驱动器以接通及关断所述高侧FET且接通及关断所述低侧FET。

10.根据权利要求1所述的系统，所述DC-DC转换器进一步包括：

二极管，其包括耦合到所述低侧FET的所述源极的阳极，且包括耦合到所述节点的阴极。

11.一种系统，其包括：

电感器；

第一场效晶体管FET，其在接通时将电流传导到所述电感器；

二极管，其耦合到所述电感器以在所述第一FET关断时将电流传导到所述电感器；

第二FET，其与所述二极管并联耦合；及

控制器，其在接通所述第一FET之前先接通所述第二FET达一定时间间隔，并在接通所述第一FET之前关断所述第二FET。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述第二FET包含所述二极管。

13.根据权利要求12所述的系统，其进一步包括：

电源，所述第一FET在接通时将电流从所述电源传导到所述电感器。

14.根据权利要求11所述的系统，其进一步包括：

电源，所述第一FET在接通时将电流从所述电源传导到所述电感器。

15.根据权利要求11所述的系统，其进一步包括：

负载，其耦合到所述二极管及所述电感器。

16.根据权利要求15所述的系统，其中所述第二FET包含所述二极管。

17.根据权利要求15所述的系统，其进一步包括：

电源，所述第一FET在接通时将电流从所述电源传导到所述电感器。