[发明专利]用于空间分辨晶片温度控制的虚拟传感器

权利要求书

1.一种方法，包括：

在工艺腔室中的多个基板上执行多个基板处理操作，其中在所述多个基板处理操作中的每个基板处理操作期间处理所述多个基板中的一个；

在所述多个基板处理操作期间确定所述多个基板中的每个基板的基板温度变化；

基于所述多个基板中的每个基板的所述基板温度来将所测量的工艺变量输入到基板温度变化模型中，所述基板温度变化模型包括：

其中W₁是第一基板的第一基板计数，W₂是所述第一基板的第二基板计数，ΔT_i和ΔT_o分别是内部区域和外部区域的温度从W₁到W₂的总变化，且和分别是内部区域温度和外部区域温度的变化率；以及

响应于所述基板温度变化模型的输出，控制所述工艺腔室的基板支撑件中的加热器设备的温度或功率设定点中的一个或多个。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述确定所述多个基板中的每个基板的基板温度进一步包括：

测量在所述多个基板处理操作期间沉积在所述多个基板中的每个基板上的膜的温度相关的膜性质；以及

基于所述温度相关的膜性质来确定所述多个基板中的每个基板的所述基板温度。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述温度相关的膜性质是光学吸收系数。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述确定所述多个基板中的每个基板的基板温度进一步包括：

在所述多个基板处理操作的每个基板处理操作期间，在多个时间间隔中的每个时间间隔期间测量所述加热器设备的功率输出；以及

在所述多个时间间隔中的每个时间间隔期间，基于所述功率输出确定所述多个基板中的每个基板的所述基板温度。

5.如权利要求4所述的方法，其中使用功率计测量所述功率输出。

6.一种方法，包括：

在工艺腔室中的多个基板上执行多个基板处理操作，其中在所述多个基板处理操作中的每个基板处理操作期间处理所述多个基板中的一个；

在所述多个基板处理操作期间确定所述多个基板中的每个基板的内部区域的温度；

在所述多个基板处理操作期间确定所述多个基板中的每个基板的外部区域的温度；

基于所述多个基板中的每个基板的所述内部区域的所述温度来确定内部区域温度模型；

基于所述多个基板中的每个基板的所述外部区域的所述温度来确定外部区域温度模型；

基于所述内部区域温度模型来控制所述工艺腔室的基板支撑件中的加热器设备的内部区域设定点；以及

基于所述外部区域温度模型来控制所述工艺腔室的所述基板支撑件中的所述加热器设备的外部区域设定点。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述确定所述多个基板中的每个基板的内部区域温度进一步包括：

测量在所述多个基板处理操作期间沉积在所述多个基板中的每个基板上的膜的所述基板的所述内部区域中的温度相关的膜性质；以及

基于所述温度相关的膜性质来确定所述多个基板中的每个基板的所述内部区域温度。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述确定所述多个基板中的每个基板的外部区域温度进一步包括：

测量在所述多个基板处理操作期间沉积在所述多个基板中的每个基板上的膜的所述基板的所述外部区域中的温度相关的膜性质；以及

基于所述温度相关的膜性质来确定所述多个基板中的每个基板的所述外部区域温度。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述温度相关的膜性质是光学吸收系数。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述温度相关膜性质是光学吸收系数。