[发明专利]电动机接地保护

权利要求书

1.一种用于接地断线保护的电路，其包括：

耦合在第一接地与第二接地之间的呈共源极布置的功率晶体管元件，其经配置以在电动机系统中的接地断线事件期间接通，从而允许电流在所述第一接地与所述第二接地之间通过，所述电流绕过控制电路。

2.根据权利要求1所述的电路，其中：所述功率晶体管元件包括在漏极端子处耦合到所述第一接地且在源极端子处耦合到第二功率金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET的源极端子的第一功率MOSFET；且所述第二功率MOSFET在漏极端子处耦合到所述第二接地。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述第一及第二功率MOSFET为n沟道功率MOSFET。

4.根据权利要求2所述的电路，其进一步包括：

第一二极管，其在阴极端子处耦合到所述第一功率MOSFET的栅极端子及所述第二功率MOSFET的栅极端子，且在阳极端子处耦合到所述第一功率MOSFET的所述漏极端子；

第二二极管，其在阴极端子处耦合到所述第二功率MOSFET的所述栅极端子及所述第一功率MOSFET的所述栅极端子且在阳极端子处耦合到所述第二功率MOSFET的所述漏极端子；及

电阻器，其在第一端子处耦合到所述第一及第二功率MOSFET的所述栅极端子，且在第二端子处耦合到所述第一及第二功率MOSFET的所述源极端子。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述第一及第二二极管经配置以在所述第一功率MOSFET的所述漏极端子与所述第二功率MOSFET的所述漏极端子之间的电压差超过阈值时接通所述第一及第二功率MOSFETS。

6.根据权利要求4所述的电路，其中所述电阻器经配置以提供所述第一及第二功率MOSFET的所述栅极与所述第一及第二功率MOSFET的所述源极之间的泄漏路径，且在正常操作期间在不存在接地断线事件时使所述第一及第二功率MOSFET保持关断。

7.根据权利要求6所述的电路，其中所述电阻器具有至少10,000欧姆的电阻。

8.根据权利要求4所述的电路，其中所述第一及第二二极管被配置为所述第一接地与所述第二接地之间的逻辑或。

9.根据权利要求4所述的电路，其中所述第一及第二二极管以及所述电阻器为低功率装置。

10.根据权利要求2所述的电路，其进一步包括：

第一对串联二极管，其在阴极端子处耦合到所述第一功率MOSFET的栅极端子及所述第二功率MOSFET的栅极端子，且在阳极端子处耦合到所述第一功率MOSFET的所述漏极端子；

第二对串联二极管，其在阴极端子处耦合到所述第二功率MOSFET的所述栅极端子及所述第一功率MOSFET的所述栅极端子且在阳极端子处耦合到所述第二功率MOSFET的所述漏极端子；及

电阻器，其在第一端子处耦合到所述第一及第二功率MOSFET的所述栅极端子，且在第二端子处耦合到所述第一及第二功率MOSFET的所述源极端子。

11.根据权利要求10所述的电路，其中：

所述第一对串联二极管包括在阳极端子处耦合到第二二极管的阴极端子的第一二极管；

所述第一对串联二极管的所述阴极端子为所述第一二极管的阴极端子，且所述第一对串联二极管的所述阳极端子为所述第二二极管的阳极端子；

所述第二对串联二极管包括在阳极端子处耦合到第四二极管的阴极端子的第三二极管；且

所述第二对串联二极管的所述阴极端子为所述第三二极管的阴极端子，且所述第二对串联二极管的所述阳极端子为所述第四二极管的阳极端子。