[发明专利]制造晶体管的方法

说明书

一种制造晶体管的方法(500)包括：在半导体衬底上形成(502)第一电介质层；在第一电介质层上沉积(504)阻挡层；在阻挡层上沉积(506)抗反射涂层；沉积(508)及使光致抗蚀剂层中的图案暴露(510)于辐射，然后蚀刻(512)以提供开口；蚀刻(514)开口下方的抗反射涂层的一部分；蚀刻(516)开口下方的阻挡层的一部分以暴露第一电介质层的一部分；提供(518)环境氧化剂以生长氧化区域，然后移除(520)阻挡层；在移除阻挡层之后，将掺杂剂植入(522)到半导体衬底中；在将掺杂剂植入到半导体衬底中之后移除(524)第一电介质层；及在移除第一电介质层之后形成(526)第二电介质层，其中所述氧化物区域生长为比第二电介质层厚。

背景技术

在许多应用中，晶体管应具有相对低的比电阻。对于一些场效应晶体管，例如漏极延伸金属氧化物半导体(DEMOS)晶体管，增加栅极氧化物部分上方的氧化物厚度可降低比电阻。

发明内容

在至少一个实例中，一种制造晶体管的方法包含：在半导体衬底上形成第一电介质层；在所述第一电介质层上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积抗反射涂层；沉积光致抗蚀剂层；使光致抗蚀剂层中的图案暴露于辐射；根据所述图案蚀刻所述光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中提供开口；蚀刻光致抗蚀剂层中的开口下方的抗反射涂层的一部分；蚀刻开口下方的阻挡层的一部分以暴露第一电介质层的一部分；在蚀刻开口下方的阻挡层的所述部分之后提供环境氧化剂，以生长氧化物区域；在提供环境氧化剂之后移除阻挡层；在移除阻挡层之后，将掺杂剂植入到半导体衬底中；在将掺杂剂植入到半导体衬底中之后移除第一电介质层；及在移除所述第一电介质层之后形成第二电介质层，其中所述氧化物区域生长为比所述第二电介质层厚。

在至少一个实例中，一种制造晶体管的方法包含：在半导体衬底上形成牺牲氧化物层；在牺牲氧化物层上沉积氮化硅层；在氮化硅层上沉积抗反射涂层；沉积光致抗蚀剂层；使光致抗蚀剂层中的图案暴露于辐射；根据所述图案蚀刻光致抗蚀剂层以在光致抗蚀剂层中提供开口；蚀刻开口下方的抗反射涂层的一部分；蚀刻开口下方的氮化硅层的一部分以暴露牺牲氧化物层的一部分；及在牺牲氧化物层的暴露部分上生长氧化物区域；在生长氧化物区域之后移除氮化硅层；在移除氮化硅层之后，将掺杂剂植入到半导体衬底中；在将掺杂剂植入到半导体衬底中之后移除牺牲氧化物层；及在移除牺牲氧化物层之后在半导体衬底上形成栅极氧化物层，其中所述氧化物区域生长到比栅极氧化物层的厚度更大的厚度。

在至少一个实例中，一种制造晶体管的方法包含：在半导体衬底上形成牺牲氧化物层；在牺牲氧化物层上沉积氮化硅层；沉积光致抗蚀剂层；使光致抗蚀剂层中的图案暴露于辐射；根据所述图案蚀刻所述光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中提供开口；蚀刻开口下方的氮化硅层的一部分以暴露牺牲氧化物层的一部分；在牺牲氧化物层的暴露部分上生长至少400埃厚的氧化物区域；在生长氧化物区域之后移除氮化硅层；在移除氮化硅层之后，将掺杂剂植入到半导体衬底中，以在半导体衬底中形成漏极区域；在将掺杂剂植入到半导体衬底中之后移除牺牲氧化物层；及在移除牺牲氧化物层之后在半导体衬底上形成栅极氧化物层，所述栅极氧化物层具有小于400埃的厚度。

附图说明

图1展示在各种实例中的晶体管。

图2展示在各种实例中具有数个层的半导体衬底。

图3展示在各种实例中蚀刻之后的硅衬底。

图4展示在各种实例中具有氧化物区域的硅衬底。

图5展示在各种实例中的工艺流程。

图6展示在各种实例中的两个晶体管。

具体实施方式

在所描述的实施例中，制造晶体管(例如DEMOS晶体管)的方法包括在晶体管栅极下方生长厚氧化物，其中工艺步骤可并入到标准双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺流程中。