[发明专利]半导体装置及制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，

所述半导体基板具有含氢的含氢区，

所述含氢区具有高浓度区，所述高浓度区的载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述高浓度区的载流子浓度比所述半导体基板的基础掺杂浓度高。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述含氢区的深度方向上的载流子浓度分布具有多个第一峰，

在所述深度方向上，在所述第一峰之间配置有所述高浓度区。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述高浓度区配置于所述第一峰中的配置得最深的所述第一峰与配置得第二深的所述第一峰之间。

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，所述高浓度区的载流子浓度分布在所述深度方向上具有第二峰。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述高浓度区的所述第二峰的宽度大于任意所述第一峰的宽度。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，所述含氢区中的氢化学浓度分布具有多个第五峰，

所述第二峰的半峰全宽比所述第五峰中的配置得最深的所述第五峰与配置得第二深的所述第五峰之间的第五峰间隔的一半大。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，在所述第二峰的半峰全宽的范围内包含配置得最深的所述第五峰和配置得第二深的所述第五峰。

9.根据权利要求3～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述含氢区具有寿命控制区，所述寿命控制区含有调整载流子的寿命的调整用杂质，

所述调整用杂质在所述深度方向上的浓度分布具有第三峰，

所述高浓度区设置在比所述调整用杂质的浓度分布的所述第三峰深的位置。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第三峰的半峰全宽比多个所述第一峰在所述深度方向上的间隔大。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述高浓度区中的氧浓度为1×10¹⁷/cm³以上。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述高浓度区中的碳浓度为1×10¹³/cm³以上。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板具有：

N型的漂移区；

N型的发射区，其以与所述半导体基板的上表面接触的方式设置，且载流子浓度比所述漂移区的载流子浓度高；

P型的基区，其设置于所述发射区与所述漂移区之间；

P型的集电区，其以与所述半导体基板的下表面接触的方式设置；以及

N型的缓冲区，其设置于所述集电区与所述漂移区之间，且载流子浓度比所述漂移区的载流子浓度高，

所述含氢区被包含在所述缓冲区中。

14.一种制造方法，其特征在于，是具备半导体基板的半导体装置的制造方法，其中，

向所述半导体基板注入氢而形成含氢区，

在所述含氢区形成调整载流子的寿命的寿命控制区，

通过对所述半导体基板进行热处理，从而在所述含氢区中形成高浓度区，所述高浓度区的载流子浓度比根据所含有的杂质的浓度和杂质的活化率确定的虚拟载流子浓度高。