[发明专利]半导体装置及制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，是具备半导体基板的半导体装置，

所述半导体基板具有包含氢的含氢区域，

所述含氢区域在至少一部分区域包含氦，

所述含氢区域的深度方向上的氢化学浓度分布具有1个以上的氢浓度谷部，在各所述氢浓度谷部中，氢化学浓度是氧化学浓度的1/10以上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在各所述氢浓度谷部中，所述氢化学浓度是碳化学浓度以上。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述含氢区域的所述深度方向上的所述氢化学浓度分布具有1个以上的氢浓度峰，

在所述氢浓度峰中，所述氢化学浓度是所述氧化学浓度的1/2以上。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在至少一个所述氢浓度谷部中，所述氢化学浓度是氦化学浓度以上。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述含氢区域的所述深度方向上的氦化学浓度分布具有氦浓度峰，

在设置于比所述氦浓度峰更深的位置的所述氢浓度谷部中，所述氢化学浓度是氦化学浓度以上。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述氢化学浓度分布具有多个氢浓度峰，

所述氦化学浓度分布的所述氦浓度峰的半峰全宽大于各所述氢浓度峰的间隔。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述氦浓度峰在深度方向上配置在2个所述氢浓度峰之间。

8.如权利要求5至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在比所述氦浓度峰更深的位置具有2个以上的氢浓度峰，

所述含氢区域的深度方向上的载流子浓度分布在比所述氦浓度峰更深的位置具有配置于与所述氢浓度峰大致相同的深度的2个以上的氢对应峰，

在比所述氦浓度峰更深的位置，各所述氢对应峰之间的所述载流子浓度分布不具有峰。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述载流子浓度分布在各所述氢对应峰之间具有载流子浓度谷部，

与所述氦浓度峰大致相同的深度位置处的所述载流子浓度谷部的载流子浓度的极小值低于该载流子浓度谷部的前后处的所述载流子浓度谷部的载流子浓度的极小值，

与所述氦浓度峰大致相同的深度位置处的所述载流子浓度谷部的载流子浓度的极小值高于所述半导体基板中的基底掺杂浓度。

10.一种制造方法，其特征在于，是具备半导体基板的半导体装置的制造方法，

向所述半导体基板注入氢而形成含氢区域，

向所述半导体基板注入氦，以使得在所述含氢区域的至少一部分区域含有氦，

以使所述含氢区域的深度方向上的氢化学浓度分布具有1个以上的氢浓度谷部，且至少一个所述氢浓度谷部的氢化学浓度是氧化学浓度的1/10以上的方式向所述半导体基板注入所述氢。