[发明专利]用于具有介电层的反射图像显示器的装置和方法

权利要求书

1.一种形成全内反射TIR显示器的方法，所述方法包括：

形成具有多个凸形突起的透明前板；

在所述透明前板上方共形地形成前电极；

在所述前电极上方共形地形成种子层，所述种子层具有约0.5-100nm的基本上均匀的厚度；

在所述种子层上方共形地形成介电层，所述介电层具有在约1-20nm范围内的基本上均匀的厚度；以及

形成靠近所述介电层的后电极；

其中所述后电极和所述介电层在其间形成间隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其中至少一个凸形突起限定半球形突起。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述种子层包括氧化铝AlO_x，其中x在约1与3之间，并且其中所述种子层包括约1-10nm的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述前电极包括氧化铟锡ITO。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述前电极包括一个或多个无机介电层、一个或多个有机介电层，或一个或多个无机介电层和一个或多个有机介电层的组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述种子层上方形成介电层的步骤进一步包括：形成包括厚度至少为约0.05nm的SiO₂的介电层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述种子层上方形成介电层的所述步骤进一步包括：形成厚度为约一个原子层的SiO₂介电层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述种子层包括厚度高达约10nm的AlO_x，并且其中所述介电层包括厚度高达20nm的SiO₂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电层包括Si₃N₄、SiO₂、SiN、SiN_x、SiON、AlO_x、Al₂O₃或陶瓷中的一种或多种，其中x在约1与3之间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中形成介电层的步骤进一步包括以下之一：原子层沉积ALD、等离子体增强原子层沉积PEALD、原子层外延ALE、原子层生长ALG、分子层外延MLE、分子分层ML、原子层CVD ALCVD和分子气相沉积MVD。

11.一种全内反射TIR显示器，包括：

具有多个凸形突起的透明前板；

在所述透明前板上方形成的前电极；

在种子层上方形成的介电层，所述介电层具有在约1-20nm范围内的基本上均匀的厚度；

位于所述介电层近端的后电极，其中所述后电极与所述介电层在其间形成间隙；以及

设置在所述间隙中的多个电泳粒子。

12.根据权利要求11所述的TIR显示器，进一步包括在所述前电极上方形成的种子层，所述种子层具有约0.5-100nm的基本上均匀的厚度。

13.根据权利要求12所述的TIR显示器，其中至少一个凸形突起限定半球形突起。

14.根据权利要求12所述的TIR显示器，其中所述种子层包括氧化铝AlO_x，其中x在约1与3之间，并且其中所述AlO_x具有约1-10nm的厚度。

15.根据权利要求12所述的TIR显示器，其中所述前电极包括氧化铟锡ITO。