[发明专利]用于基于过程参数标记衬底的方法

说明书

公开了一种对与经历制造过程的过程步骤的衬底相关联的数据进行分组的方法。该方法包括：在经历过程步骤之前，获取与衬底相关联的第一数据，以及在经历过程步骤之后，获取与衬底相关联的第二数据的多个集，第二数据的每个集与第一数据的特性的不同值相关联。确定描述第二数据的多个集之间的距离的测量的距离度量；并且基于距离度量的性质对第二数据分组。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年4月27日提交的美国申请62/663,866和于2018年7月10日提交的EP申请18182594.4的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及用于例如半导体器件的生产的衬底的处理。

背景技术

光刻装置是一种被构造为将期望图案应用到衬底上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻装置可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影到衬底上，光刻装置可以使用辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是大约365nm(i线)、大约248nm、大约193nm和大约13nm。与使用例如波长约为193nm的辐射的光刻装置相比，使用波长在4-20nm(例如，6.7nm或13.5nm)范围内的极紫外(EUV)辐射的光刻装置可以用于在衬底上形成更小的特征。

低k1光刻术可以用于处理尺寸小于光刻装置的经典分辨率极限的特征。在这样的过程中，分辨率公式可以表示为CD＝k1×λ/NA，其中λ是所采用的辐射的波长，NA是光刻装置中的投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常是所打印的最小特征尺寸，但在这种情况下为半间距)，k1是经验分辨率因数。通常，k1越小，就越难以在衬底上再现与电路设计者计划的形状和尺寸类似的图案以实现特定电气功能和性能。为了克服这些困难，可以将复杂的微调步骤应用于光刻投影设备和/或设计布局。这些包括例如但不限于数值孔径(NA)的优化、定制的照射方案、一个或多个相移图案形成装置的使用、诸如设计布局中的光学邻近校正(OPC)等设计布局的优化、或通常定义为分辨率增强技术(RET)的其他方法。另外地或替代地，可以使用用于控制光刻装置的稳定性的一个或多个紧密控制环来改善在低k1下的图案的再现。

发明内容

光刻装置的控制的有效性可以取决于个体衬底的特性。例如，与在通过光刻装置进行处理之前由第二处理工具处理的第二衬底不同，在通过光刻装置进行处理(或制造过程的任何其他过程步骤，在本文中统称为制造过程步骤)之前由第一处理工具处理的第一衬底可以受益于(略)不同的控制参数。

典型地，对于衬底，预处理数据是可用的(与在某个关注的制造过程步骤之前执行的制造过程步骤相关联的数据)和后处理数据(与在已经经历关注的制造过程步骤之后在衬底上执行的测量相关联的数据)。期望例如基于预处理数据的知识来控制关注的制造过程，因为这允许控制回路预见预期的后处理结果。但是，该控制通常涉及对预处理信息与后处理信息之间的关系以及关注的过程的控制参数如何影响后处理数据的知识。可能并不总是知道关注的过程的控制设置如何影响后处理数据。例如，在光刻过程中应用的剂量设置可能对与在执行光刻过程之后获取的特征相关联的某个临界尺寸具有可预测的影响，或者可能没有。基于(通常是非常大量的)预处理数据来预测后处理数据的方法的性能较差的问题更大。通常，预处理数据包括太多参数，以至于无法构建将预处理数据链接到后处理数据的可靠模型。