[发明专利]水性组合物和使用其的清洗方法在审
| 申请号： | 201980027331.5 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN112005346A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 尾家俊行;堀田明伸;菊永孝裕;山田健二 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C11D7/08;C11D7/10;C11D7/14;C11D7/36;C23F1/16;C23G1/02;H01L21/308;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 水性 组合 使用 清洗 方法 | ||
1.一种水性组合物，其包含：以组合物总量基准计为0.001～20质量％的(A)选自四氟硼酸、六氟硅酸、六氟铝酸、六氟钛酸和它们的盐中的1种以上的含氟化合物；和
以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(B)选自C4-13烷基膦酸、C4-13烷基膦酸酯、C4-13烷基磷酸和它们的盐中的1种以上的化合物。
2.根据权利要求1所述的组合物，其pH处于0～7的范围。
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，还包含氟化氢(HF)。
4.根据权利要求3所述的组合物，其中，所述(A)成分为六氟硅酸或其盐。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，所述水性组合物包含选自如下物质中的至少任意者：
作为所述烷基膦酸的、正丁基膦酸、正戊基膦酸、正己基膦酸、正庚基膦酸、正辛基膦酸、正壬基膦酸、正癸基膦酸、正十一烷基膦酸、正十二烷基膦酸、正十三烷基膦酸、或它们的混合物；
作为所述烷基膦酸酯的、正丁基膦酸酯、正戊基膦酸酯、正己基膦酸酯、正庚基膦酸酯、正辛基膦酸酯、正壬基膦酸酯、正癸基膦酸酯、正十一烷基膦酸酯、正十二烷基膦酸酯、正十三烷基膦酸酯、或它们的混合物；以及，
所述烷基膦酸和所述烷基膦酸酯的盐。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，所述水性组合物包含选自如下物质中的至少任意者：
作为所述烷基磷酸的、正丁基磷酸、正戊基磷酸、正己基磷酸、正庚基磷酸、正辛基磷酸、正壬基磷酸、正癸基磷酸、正十一烷基磷酸、正十二烷基磷酸、正十三烷基磷酸、磷酸-2-乙基己酯、磷酸异癸酯、或它们的混合物；以及，
所述烷基磷酸的盐。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的组合物，其中，所述烷基膦酸、所述烷基膦酸酯和所述烷基磷酸中，烷基链的数量为2以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的组合物，其中，所述烷基膦酸、所述烷基膦酸酯和所述烷基磷酸中，烷基链的数量为1。
9.一种电子器件的清洗方法，其包括如下工序：使权利要求1～8中任一项所述的组合物与电子器件接触。
10.一种电子器件的制造方法，其包括如下工序：使权利要求1～8中任一项所述的组合物与电子器件接触。
11.一种蚀刻液，其包含权利要求1～8中任一项所述的组合物。
12.一种清洗液，其包含权利要求1～8中任一项所述的组合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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