[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980027282.5 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN112041825A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;加藤清;木村肇;宫口厚;井上达则 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G06F12/0893 | 分类号： | G06F12/0893;G11C5/14;G11C7/04;G11C11/405;G11C11/4074;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李雪春;阎文君 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
存储装置；以及
控制电路，
其中，所述存储装置包括在第一存储层次工作的第一存储电路及在第二存储层次工作的所述第二存储电路，
所述第一存储层次的访问速度比所述第二存储层次快，
所述第一存储电路包括第一电容器及具有保持所述第一电容器所保持的电荷的功能的第一晶体管，
所述第二存储电路包括第二晶体管、电连接于所述第二晶体管的栅极的第二电容器及具有保持所述第二电容器所保持的电荷的功能的第三晶体管，
所述第一及第三晶体管包括具有氧化物半导体的半导体层、第一栅极及第二栅极，
并且，所述控制电路具有通过对所述第一晶体管的所述第二栅极输入电压来将所述第一存储电路从所述第一存储层次改为所述第二存储层次的功能及通过对所述第三晶体管的所述第二栅极输入电压来将所述第二存储电路从所述第二存储层次改为所述第一存储层次的功能。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述控制电路包括温度检测电路，
所述温度检测电路具有输出对应于所述存储装置附近的温度的校正电压的功能，
并且所述控制电路具有根据所述校正电压使施加到所述第一及所述第三晶体管的每一个的所述第二栅极的电压波动的功能。
3.一种半导体装置，包括：
存储装置；以及
控制电路，
其中，所述存储装置包括在第一存储层次工作的第一存储电路及在第二存储层次工作的所述第二存储电路，
所述第一存储层次的访问速度比所述第二存储层次快，
所述第一存储电路包括第一电容器及具有保持所述第一电容器所保持的电荷的功能的第一晶体管，
所述第二存储电路包括第二晶体管、电连接于所述第二晶体管的栅极的第二电容器及具有保持所述第二电容器所保持的电荷的功能的第三晶体管，
所述第一及第三晶体管包括具有氧化物半导体的半导体层、第一栅极及第二栅极，
所述控制电路具有通过对所述第一晶体管的所述第二栅极输入电压来将所述第一存储电路从所述第一存储层次改为所述第二存储层次的功能及通过对所述第三晶体管的所述第二栅极输入电压来将所述第二存储电路从所述第二存储层次改为所述第一存储层次的功能，
所述控制电路包括控制器、多个电压生成电路及切换电路，
所述存储装置具有对所述控制器输出具有所述存储装置的存储容量的使用情况的信号的功能，
并且，所述控制器具有根据所述信号以从多个所述电压生成电路中的任一个输出的电压被施加到所述第一及第三晶体管的所述第二栅极的方式控制所述切换电路的功能。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，
其中所述控制电路包括温度检测电路，
所述温度检测电路具有输出对应于所述存储装置附近的温度的校正电压的功能，
并且所述控制电路具有根据所述校正电压使施加到所述第一及所述第三晶体管的每一个的所述第二栅极的电压波动的功能。
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