[发明专利]扫描离子束蚀刻

权利要求书

1.一种在晶片蚀刻工艺期间校正不对称的方法，所述方法包括：

从等离子体源产生等离子体，所述等离子体源包括等离子体腔室和离子提取栅格系统，所述离子提取栅格系统被配置成从所述等离子体产生离子束，所述离子束具有中心轴；

在载物台上支撑晶片；

沿着扫描路径相对于所述离子束扫描所述晶片；以及

根据所述晶片的位置来修改施加的射束通量。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述蚀刻工艺的至少一部分期间使所述载物台绕所述中心轴旋转。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述蚀刻工艺的至少一部分期间使所述载物台相对于所述离子束倾斜。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述蚀刻工艺的至少一部分期间使所述晶片冷却。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述扫描路径是线性的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述扫描路径是非线性的。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述扫描路径的中心与所述离子束的中心重合。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述扫描路径的中心与所述离子束的中心不重合。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，根据所述晶片的位置修改所述施加的射束通量包括：调节离子束电流。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，根据所述晶片的位置修改所述施加的射束通量包括：沿着所述扫描路径插入多个物理块以产生孔径，并调节所述孔径位置以使所述施加的离子束变窄。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，根据所述晶片的位置修改所述施加的射束通量包括：调节所述晶片暴露于所述离子束的时间量。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，随着所述晶片沿着所述扫描路径行进，所述晶片的扫描速率变化。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述扫描速率是所述晶片在所述离子束中的位置的函数。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述扫描速率是所述晶片距所述等离子体源的距离的函数。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述扫描速率相对于所述离子束的所述中心轴不对称。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述扫描路径包括从所述离子束的第一端到所述离子束的第二端的扫出路径以及从所述离子束的所述第二端到所述离子束的所述第一端的回扫路径，其中，所述扫出路径与所述回扫路径相同。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述扫描路径包括从所述离子束的第一端到所述离子束的第二端的扫出路径以及从所述离子束的所述第二端到所述离子束的所述第一端的回扫路径，其中，所述扫出路径与所述回扫路径不同。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述扫描路径包括从所述离子束的第一端到所述离子束的第二端的扫出路径以及从所述离子束的所述第二端到所述离子束的所述第一端的回扫路径，其中，所述扫出路径的端点与所述回扫路径的端点不同。

19.根据权利要求1所述的方法，其中，所述扫描路径包括根据扫出速率函数的从所述离子束的第一端到所述离子束的第二端的扫出路径以及根据回扫速率函数的从所述离子束的所述第二端到所述离子束的所述第一端的回扫路径，其中，所述扫出速率函数与所述回扫速率函数不同。