[发明专利]基板处理系统和基板处理方法在审
申请号: | 201980026999.8 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN112005341A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 田之上隼斗 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B23K26/53;H01L21/304;H01L21/68 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 方法 | ||
1.一种基板处理系统,其对基板进行处理,其中,
该基板处理系统具有:
偏心检测装置,其检测接合第1基板和第2基板而成的层叠基板中的所述第1基板的偏心;
改性层形成装置,其沿着所述第1基板中的去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第1基板的内部形成改性层;以及
周缘去除装置,其将所述周缘部以所述改性层为基点去除。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统具有控制装置,该控制装置控制所述偏心检测装置、所述改性层形成装置以及所述周缘去除装置,
所述改性层形成装置包括保持所述层叠基板的保持部和针对保持于所述保持部的所述层叠基板在所述第1基板的内部形成所述改性层的改性部,
所述控制装置基于所述偏心检测装置的检测结果,针对由所述改性部进行的处理,调整保持于所述保持部的所述层叠基板中的所述第1基板的中心。
3.根据权利要求2所述的基板处理系统,其中,
所述改性部向所述第1基板的内部照射激光束而形成所述改性层,
所述控制装置基于所述偏心检测装置的检测结果,调整所述保持部的中心轴线或者来自所述改性部的激光束的照射轴线。
4.根据权利要求2所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统具有输送装置,该输送装置相对于所述偏心检测装置、所述改性层形成装置以及所述周缘去除装置输送所述层叠基板,
所述控制装置基于所述偏心检测装置的检测结果控制所述输送装置,以使所述第1基板的中心与所述保持部的中心一致的方式向所述保持部输送所述层叠基板。
5.根据权利要求2所述的基板处理系统,其中,
所述周缘去除装置包括对所述第1基板的非接合面进行磨削的磨削单元和进行所述层叠基板的位置调整的处理单元,
所述改性层形成装置的所述保持部和所述改性部设于所述处理单元,
所述控制装置基于所述偏心检测装置的检测结果来控制所述处理单元。
6.根据权利要求1所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统具有:
界面处理装置,其包括保持所述层叠基板的其他保持部和针对保持于所述其他保持部的所述层叠基板使所述第1基板的所述周缘部的与所述第2基板之间的界面改性的界面处理部;以及
控制装置,其控制所述偏心检测装置、所述改性层形成装置、所述周缘去除装置以及所述界面处理装置,
所述控制装置基于所述偏心检测装置的检测结果,针对由所述界面处理部进行的处理,调整保持于所述其他保持部的所述层叠基板中的所述第1基板的中心。
7.根据权利要求6所述的基板处理系统,其中,
所述界面处理部通过向所述界面照射激光束而使该界面改性,
所述控制装置基于所述偏心检测装置的检测结果,调整所述其他保持部的中心轴线或者来自所述界面处理部的激光束的照射轴线。
8.根据权利要求6所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统具有输送装置,该输送装置相对于所述偏心检测装置、所述改性层形成装置、所述周缘去除装置以及所述界面处理装置输送所述层叠基板,
所述控制装置基于所述偏心检测装置的检测结果控制所述输送装置,以使所述第1基板的中心与所述其他保持部的中心一致的方式向所述其他保持部输送所述层叠基板。
9.根据权利要求6所述的基板处理系统,其中,
所述周缘去除装置包括对所述第1基板的非接合面进行磨削的磨削单元和进行所述层叠基板的位置调整的处理单元,
所述改性层形成装置的所述其他保持部和所述界面处理部设于所述处理单元,
所述控制装置基于所述偏心检测装置的检测结果来控制所述处理单元。
10.根据权利要求1所述的基板处理系统,其中,
该基板处理系统具有接合装置,该接合装置接合所述第1基板和所述第2基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造