[发明专利]高密度球栅阵列(BGA)封装电容器设计

权利要求书

1.一种集成电路封装，包括：

基板，所述基板具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

集成电路部件，所述集成电路部件耦合到所述基板的所述第二侧；

球栅阵列，所述球栅阵列形成在所述基板的所述第一侧上，所述球栅阵列包括以图案布置的多个接触球，其中，所述接触球的第一子集中的每一个接触球电耦合到集成电路部件的第一电压输入，并且所述接触球的第二子集中的每一个接触球电耦合到所述集成电路部件的第二电压输入；和

电容器，所述电容器安装到所述第一侧，并且具有第一端子和第二端子，所述第一端子耦合到所述接触球的所述第一子集中的第一接触球，所述第二端子耦合到所述接触球的所述第二子集中的第二接触球。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述第一电压输入是互补金属氧化物半导体电路的漏极电压输入，并且所述第二电压输入是所述互补金属氧化物半导体电路的吸极电压输入。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述球栅阵列具有1.27毫米或更小的节距。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述第一接触球和所述第二接触球是在所述球栅阵列中的邻居。

5.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述第一接触球和所述第二接触球相对于所述图案沿着对角线方向在所述球栅阵列中彼此相邻。

6.根据权利要求1所述的集成电路封装，还包括桥，所述桥将第三接触球与所述第一接触球或所述第二接触球中的至少一个电耦合。

7.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述电容器包括电容器主体，所述电容器主体设置在所述基板的所述第一侧上的绝缘层上方。

8.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，每个接触球具有的高度比所述电容器的高度从所述基板的所述第一侧延伸得更远。

9.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述电容器的每个端子通过接触焊盘与所述接触球电接触，其中，所述接触焊盘设置在沉积在所述基板的所述第一侧上的电介质层上方并且在沉积在所述电介质层上方的绝缘层下方。

10.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，第三接触球和所述第一端子之间的间隙避免了所述接触球和所述第一端子之间的电弧。

11.一种系统，包括：

印刷电路板；和

安装在所述印刷电路板上的集成电路封装，其中，所述集成电路封装包括：

基板，所述基板具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

集成电路部件，所述集成电路部件耦合到所述基板的所述第二侧；

球栅阵列，所述球栅阵列形成在所述基板的所述第一侧上，所述球栅阵列包括以图案布置的多个接触球，其中，所述接触球的第一子集中的每一个接触球电耦合到集成电路部件的第一电压输入，并且所述接触球的第二子集中的每一个接触球电耦合到所述集成电路部件的第二电压输入；和

电容器，所述电容器安装到所述第一侧，并且具有第一端子和第二端子，所述第一端子耦合到所述接触球的所述第一子集中的第一接触球，所述第二端子耦合到所述接触球的所述第二子集中的第二接触球。

12.根据权利要求11所述的系统，其中，在所述集成电路封装中，所述第一电压输入是互补金属氧化物半导体电路的漏极电压输入，并且所述第二电压输入是所述互补金属氧化物半导体电路的吸极电压输入。

13.根据权利要求11所述的系统，其中，在所述集成电路封装中，所述球栅阵列具有1.27毫米或更小的节距。

14.根据权利要求11所述的系统，其中，在所述集成电路封装中，所述第一接触球和所述第二接触球是在所述球栅阵列中的邻居。