[发明专利]具有改进的品质因数的TF-SAW谐振器、RF滤波器和制造TF-SAW谐振器的方法在审
| 申请号： | 201980025808.6 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN111971897A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | C·许克;M·纳普 | 申请（专利权）人： | RF360欧洲有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张曦 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 改进 品质因数 tf saw 谐振器 rf 滤波器 制造 方法 | ||
1.一种具有改进的品质因数的TF-SAW谐振器，包括：
-载体衬底，
-压电层，在所述载体衬底上或上方，所述压电层具有厚度T，
-电极结构，包括IDT结构，所述电极结构在所述压电层上，所述IDT结构具有节距P和金属化率η，
其中：
-所述压电层是包括压电材料的薄膜，
-所述节距P和所述金属化率η被选取以使所述品质因数Q最大化。
2.根据前一权利要求所述的TF-SAW谐振器，其中P和η取决于所述压电层的所述厚度T。
3.根据前述权利要求之一所述的TF-SAW谐振器，其中所述压电材料包括LiNbO3或LiTaO3。
4.根据前述权利要求之一所述的TF-SAW谐振器，还包括在所述载体衬底与所述压电层之间的中间层，
其中所述中间层中的声速小于所述压电层中的声速。
5.根据前述权利要求之一所述的TF-SAW谐振器，还包括在所述载体衬底与所述压电层之间的TCF层。
6.根据前述权利要求之一所述的TF-SAW谐振器，还包括电荷减少层。
7.根据前述权利要求之一所述的TF-SAW谐振器，其中P和η取决于T，但是与所述谐振器的外部电环境无关。
8.一种RF滤波器，包括两个或更多根据前述权利要求之一所述的TF-SAW谐振器，其中P和η针对每个谐振器单独地被选取。
9.一种制造TF-SAW谐振器的方法，包括步骤：
-提供载体衬底，
-利用晶片键合与薄膜处理或者薄膜层沉积技术，在所述载体衬底上或上方沉积包括压电材料的压电层，
-在所述压电层上构造包括IDT结构的电极结构，所述IDT结构具有被选取以使品质因数Q最大化的节距P和金属化率η。
10.根据前一权利要求所述的方法，其中P和η考虑所述压电层的厚度T而被选取，但是与所述谐振器的外部电环境无关。
11.根据两项前述权利要求之一所述的方法，包括：局部修整所述压电层的厚度T。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于RF360欧洲有限责任公司，未经RF360欧洲有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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