[发明专利]摄像装置及摄像系统

说明书

本申请的一个方案的摄像装置具备：半导体基板，其具有接受来自外部的光的第1面及上述第1面的相反侧的第2面；第1晶体管，其位于上述第2面上；和光电转换部，其面向上述第2面，且接受透过上述半导体基板后的光。上述半导体基板为硅基板或硅化合物基板。上述光电转换部包含：与上述第1晶体管电连接的第1电极；第2电极；和光电转换层，其位于上述第1电极与上述第2电极之间，且包含吸收1.1μm以上的第1波长的光的材料。上述第1电极位于上述第2面与上述光电转换层之间。上述材料的1.0μm以上且低于1.1μm的波长区域中的光谱灵敏度为上述材料的1.1μm以上的波长区域中的光谱灵敏度的最大值的0％～5％的范围内。

技术领域

本申请涉及摄像装置及摄像系统。

背景技术

在光传感器的领域，有对于限定了波长区域的传感检测的要求。在这样的应用中，一般通过将限制波长的光学滤波器配置在摄像部的前面来进行基于所期望的波长的摄像。例如下述的专利文献1公开了在图像传感器的上方配置有光学滤波器的摄像机模块。

在专利文献1中记载的技术中，通过配置光学滤波器,能够切换执行可见区域中的成像和红外区域中的成像。如专利文献1的图10中例示的那样，对于特定的波长成分的滤波，可使用带通滤波器。但是，作为带通滤波器，一般使用干涉型的光学滤波器。因此，对光的入射角的依赖性大，不适合广角的摄影。

另一方面，下述的专利文献2公开了一种光检测装置，其具有由非晶体硅形成的第1光电二极管及以多晶硅等具有结晶性的硅层的形式形成的第2光电二极管的层叠结构。第1光电二极管位于第2光电二极管的上方，检测可见光，与此相对，第2光电二极管检测透过第1光电二极管后的红外光。即，在该光检测装置中，第1光电二极管还兼具降低可见光向第2光电二极管中的入射的光学滤波器的功能。

另外，下述的专利文献3公开了一种固体摄像装置，其在形成有第1光电转换部的单晶Si基板的表面上及背面上分别具有第2及第3光电转换部。第3光电转换部在其一部分中包含由喹吖啶酮形成的有机膜，第2光电转换部在其一部分中包含硅锗层。这些光电转换部从光的入射侧起依次层叠第3光电转换部、第1光电转换部及第2光电转换部。通过这样的层叠结构，能够分开取得与入射光中的绿的波长区域的成分相关的信号、与蓝的波长区域的成分相关的信号及与红的波长区域的成分相关的信号。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2013/0089237号说明书

专利文献2：日本特开2012-099797号公报

专利文献3：日本特开2015-037121号公报

发明内容

发明所要解决的课题

提供特别是在红外区域的窄频带摄像中噪声得以降低的能够进行高灵敏度的摄像的摄像装置。

用于解决课题的手段

本申请的非限定性的某个例示性的实施方式的摄像装置具备：半导体基板，其具有接受来自外部的光的第1面及上述第1面的相反侧的第2面；第1晶体管，其位于上述第2面上；和光电转换部，其面向上述第2面，且接受透过上述半导体基板后的光。上述半导体基板为硅基板或硅化合物基板。上述光电转换部包含：与上述第1晶体管电连接的第1电极；第2电极；和光电转换层，其位于上述第1电极与上述第2电极之间，且包含吸收1.1μm以上的第1波长的光的材料。上述第1电极位于上述第2面与上述光电转换层之间。上述材料的1.0μm以上且低于1.1μm的波长区域中的光谱灵敏度为上述材料的1.1μm以上的波长区域中的光谱灵敏度的最大值的0％～5％的范围内。

总括或具体的方案也可以通过元件、设备、系统、集成电路、方法或计算机程序来实现。另外，总括或具体的方案也可以通过元件、设备、装置、系统、集成电路、方法及计算机程序的任意组合来实现。