[发明专利]用于电磁感应装置的磁芯、包括该磁芯的电磁感应装置及制造磁芯的方法

权利要求书

1.一种用于电磁感应装置(11)的磁芯(1；1'；1”)，所述磁芯包括：

由晶粒取向材料制成的柱(5；5”)；

由非晶态材料制成的磁轭(3；3”)；以及

由晶粒取向材料制成的辅助联接构件(7；7'；7”)，

其中，所述辅助联接构件(7；7'；7”)将所述柱(5；5”)与所述磁轭(3；3”)相联接，

其中，所述柱(5；5”)的晶粒取向垂直于所述辅助联接构件(7；7'；7”)的晶粒取向。

2.根据权利要求1所述的磁芯(1；1'；1”)，其中，所述辅助联接构件(7；7'；7”)由晶粒取向材料构成。

3.根据权利要求1或2所述的磁芯(1；1'；1”)，其中，所述柱(5)和所述辅助联接构件(7；7'；7”)各个均包括多个层压板，其中，通过将所述辅助联接构件(7；7'；7”)的层压板与所述柱(5；5”)的层压板交错，形成所述辅助联接构件(7；7'；7”)和所述柱(5；5”)之间的联接。

4.根据前述权利要求中任一项所述的磁芯(1；1'；1”)，其中，所述磁轭(3；3”)和所述辅助联接构件(7；7'；7”)各个均包括多个层压板，其中，通过所述辅助联接构件(7；7'；7”)的层压板与所述磁轭(3；3”)的层压板交错，形成所述辅助联接构件(7；7'；7”)和所述磁轭(3；3”)之间的联接。

5.根据前述权利要求中任一项所述的磁芯(1；1'；1”)，其中，所述辅助联接构件(7；7')与所述柱(5)之间的联接是斜接联接。

6.根据权利要求5所述的磁芯(l；l”)，其中，所述斜接联接的角度(α)为45°。

7.根据前述权利要求中任一项所述的磁芯(1；1'；1”)，其中，所述辅助联接构件(7；7')和所述磁轭(3；3”)之间的联接是搭接联接。

8.根据前述权利要求中任一项所述的磁芯(1；1'；1”)，其中，所述磁轭(3)的横截面比所述柱(5)的横截面大。

9.一种电磁感应装置(11)，所述电磁感应装置包括根据权利要求1至8中任一项所述的磁芯(1；1'；1”)。

10.根据权利要求9所述的电磁感应装置(11)，其中，所述电磁感应装置(11)是变压器或电抗器。

11.根据权利要求9或10所述的电磁感应装置(11)，其中，所述电磁感应装置(11)是高压电磁感应装置。

12.一种制造电磁感应装置(11)的磁芯(1；1'；1”)的方法，其中，所述方法包括：

b)联接由晶粒取向材料制成的柱(5；5”)与由晶粒取向材料制成的辅助联接构件(7；7'；7”)，使得所述柱(5；5”)的晶粒取向垂直于辅助联接构件(7；7'；7”)的晶粒取向，和

c)联接由非晶态材料制成的磁轭(3；3”)与所述辅助联接构件(7；7'；7”)。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述柱(5；5”)、所述磁轭(3；3”)和所述辅助联接构件(7；7'；7”)各个均包括多个层压板，其中，所述辅助联接构件(7；7'；7”)和所述柱(5；5”)的联接包括使辅助联接构件(7；7'；7”)的层压板与所述柱(5；5”)的层压板交错，并且其中，所述辅助联接构件(7；7'；7”)和所述磁轭(3；3”)的联接包括使得所述辅助联接构件(7；7'；7”)的层压板与所述磁轭(3；3”)的层压板交错。

14.根据权利要求12或13所述的方法，所述方法包括：a)在所述联接之前相对于所述辅助联接构件的晶粒取向对所述辅助联接构件(7；7'；7”)进行倾斜切割，其中，所述柱(5；5”)和所述辅助联接构件(7；7'；7”)的联接形成斜接联接。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，所述方法包括：a)在所述联接之前相对于所述辅助联接构件的晶粒取向对所述辅助联接构件(7；7'；7”)进行垂直切割，其中所述辅助联接构件(7；7'；7”)和所述磁轭(3；3”)的联接形成搭接联接。