[发明专利]用于三维结构的保形掺杂的方法在审
| 申请号： | 201980024279.8 | 申请日： | 2019-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN112005380A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 程睿;杨奕;K·嘉纳基拉曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L29/732;H01L21/324;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 三维 结构 掺杂 方法 | ||
1.一种基板处理方法，包含：
在基板上形成的三维结构上沉积基本上保形的硅膜；
将所述基板暴露于金属卤化物以形成包含金属和卤素原子的覆盖层；
对所述基板退火以在所述覆盖层下方扩散卤素原子，并用卤素原子掺杂所述三维结构；和
从所述基板去除所述覆盖层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三维结构包含FinFET结构。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三维结构包含分层堆叠，所述分层堆叠包含电介质层、高介电常数层和氮化物层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电介质层包含硅和氧。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述高介电常数层包含Hf和O。
6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氮化物层包含TiN、TiSiN、TaN或TaSiN中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述硅膜包含将所述基板暴露于硅前驱物，所述硅前驱物包含至少一种通式为SixHy的物质，其中x是1至4的整数且y是2x+2。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，将所述基板保持在约400℃至约550℃范围内的温度。
9.如权利要求1所述的方法，进一步包含在沉积所述硅膜之后对所述基板进行退火。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在约500℃至约1000℃范围内的温度下对所述硅膜进行退火约1ms至约10s范围内的时间段。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属卤化物包含W。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述基板暴露于所述金属卤化物的同时将所述基板保持在约100℃至约500℃的温度。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层进一步包含硅。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述基板进行退火以在所述覆盖层下方扩散卤素原子的同时将所述基板保持在约200℃至约1000℃的温度。
15.如权利要求3所述的方法，其特征在于，去除所述覆盖层包含：去除所述覆盖层和所述氮化物层的一部分以及对所述氮化物层进行重整。
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