[发明专利]BAW谐振器、RF滤波器、多路复用器、以及制造BAW谐振器的方法在审
| 申请号： | 201980022610.2 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111937303A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | W·艾格纳;M·希克;F·弗雷斯;C·许克 | 申请（专利权）人： | RF360欧洲有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/56;H03H3/02;H03H9/13;H03H9/58;C23C14/06;H03H3/04;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | baw 谐振器 rf 滤波器 多路复用 以及 制造 方法 | ||
1.一种BAW谐振器，包括：
-底部电极层，具有底部电极
-顶部电极层，具有顶部电极，位于所述底部电极层上方，
-压电层，具有第一压电材料和第二压电材料，
其中
-所述第一压电材料和所述第二压电材料具有不同的压电极性，
-所述第一压电材料的第一段被布置在所述第二压电材料的第一段与所述第二压电材料的第二段之间。
2.根据前述权利要求所述的BAW谐振器，其中所述第二压电材料是横向能量屏障。
3.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中所述第二压电材料被提供以生成干扰信号。
4.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中所述第一压电材料和所述第二压电材料具有相反的极性。
5.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中所述第二压电材料终止所述谐振器的所述有效区域。
6.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中所述第一压电材料包括单个框架的段或其中一个框架嵌套在另一框架中的两个或更多个框架的段。
7.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，包括所述第一压电材料的段或所述第二压电材料的段，其中所述压电材料的高度与所述有效区域中的所述压电层的所述厚度不同。
8.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，还包括生长层，所述生长层在所述底部电极层与所述压电层之间。
9.根据前述权利要求所述的BAW谐振器，其中所述生长层与所述压电层之间的所述界面具有所述第一压电材料下方的第一段以及所述第二压电材料下方的第二段。
10.根据前述权利要求所述的BAW谐振器，其中所述第一段中的所述生长层包括选自氧化物、氮化物、Ru、RuOx、MOPVE-AlN、SiO2的材料。
11.根据前述两项权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中所述第二段中的所述生长层包括选自氧化物、氮化物、Ru、RuOx、MOPVE-AlN、SiO2的材料。
12.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中所述第一压电材料和/或所述第二压电材料包括AlN或由AlN组成。
13.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中所述第一压电材料和/或所述第二压电材料包括选自以下各项的材料或由以下各项的材料组成：Sc掺杂的AlN以及其中0≤x≤30的Al1-xScxN。
14.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，还包括所述压电层中的切口或沟槽。
15.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，还包括所述压电层中的沟槽，所述沟槽包围所述谐振器的有效区域。
16.一种RF滤波器，包括前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器。
17.一种多路复用器，包括前述权利要求所述的RF滤波器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于RF360欧洲有限责任公司，未经RF360欧洲有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980022610.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
