[发明专利]用于建立温度梯度的设备和方法

权利要求书

1.一种用于建立温度梯度的设备(1)，所述设备(1)具有至少一个气密工作空间(5)，所述至少一个气密工作空间(5)具有连接到第一电极(2)的第一边界层(6)和连接到第二电极(3)的第二边界层(7)，其中当电压在所述工作空间(5)中被施加于所述第一电极(2)和所述第二电极(3)之间时，电场可以在所述第一边界表面(6)和所述第二边界表面(7)之间被生成，并且其中所述第一边界表面(6)和所述第二边界表面(7)之间的距离小于5000nm，其特征在于，所述第一边界表面(6)包括至少一个场增强装置，特别是尖端(8)，以使得如果电压被施加于所述电极(2、3)，则所述场增强装置的区域中的电场的场强度大于所述工作空间(5)中的电场的平均场强度。

2.如权利要求1所述的设备(1)，其特征在于，所述场增强装置处的电场强度比所述工作空间(5)中的平均电场强度大至少10倍，优选地100倍，特别是1000倍。

3.如权利要求1或2所述的设备(1)，其特征在于，所述场增强装置被实施为至少在端侧为大致锥形，并且具有小于30°的锥角。

4.如权利要求1至3之一所述的设备(1)，其特征在于，所述场增强装置与所述第二边界表面(7)的距离小于所述第一边界表面(6)和所述第二边界表面(7)之间的最大边界表面间隔(10)的90％，优选地小于80％。

5.如权利要求1至4之一所述的设备(1)，其特征在于，所述工作空间(5)被实施为使得当电压被施加于所述电极(2、3)之间时，电场在所述工作空间(5)中被获得，所述电场在所述工作空间(5)的大于50％以上基本上是均匀的，优选地所述工作空间(5)的大于70％以上，特别是所述工作空间(5)的大于90％以上。

6.如权利要求1至5之一所述的设备(1)，其特征在于，所述工作空间(5)被实施为使得当电压被施加时，电场在所述工作空间(5)中被形成，所述电场在与所述至少一个场增强装置间隔小于1000nm、特别是小于500nm、优选地小于200nm的区域的外部基本上是均匀的。

7.如权利要求1至6之一所述的设备(1)，其特征在于，所述场增强装置被实施为尖端(8)，并且在一端处具有小于10nm²、特别是小于5nm²的面积。

8.如权利要求1至7之一所述的设备(1)，其特征在于，所述第一边界表面(6)和所述第二边界表面(7)被实施为基本上平坦的。

9.如权利要求1至8之一所述的设备(1)，其特征在于，气体被布置在所述工作空间(5)中，所述气体具有小于5000nm、特别是小于1000nm、优选地大约500nm的自由路径长度。

10.如权利要求1至9之一所述的设备(1)，其特征在于，具有低离子化能量的气体、特别是氩、氙、C₆₀、C₆₀F₆₀、碘、SF₆或UF₆被布置在所述工作空间(5)中。

11.如权利要求1至10之一所述的设备(1)，其特征在于，电子气体被布置在所述工作空间(5)中。

12.如权利要求1至11之一所述的设备(1)，其特征在于，锂、钠、钾、铷和/或铯被布置在所述工作空间(5)中，优选地以等离子体状态。

13.如权利要求1至12之一所述的设备(1)，其特征在于，所述第二边界表面(7)由电介质、特别是玻璃形成。

14.如权利要求1至13之一所述的设备(1)，其特征在于，所述第二边界表面(7)仅经由电介质连接到所述第二电极(3)。